物料型号：
- 型号：2SD953
器件简介：
- 2SD953是一款硅NPN功率晶体管，具有TO-3封装和内置阻尼二极管，适用于高电压能力的应用场景，例如线操作的水平偏转输出应用。
引脚分配：
- 1号引脚：基极（Base）
- 2号引脚：发射极（Emitter）
- 3号引脚：集电极（Collector）
参数特性：
- 集电极-基极电压（VCBO）：1500V（开发射极）
- 发射极-基极电压（VEBO）：5V（开集电极）
- 集电极电流（Ic）：5A
- 集电极峰值电流（ICM）：7A
- 总功率耗散（PT）：95W（Tc=25°C）
- 结温（Tj）：130°C
- 存储温度（Tstg）：-65~130°C
功能详解：
- 该晶体管在Tj=25℃的条件下，具有以下特性：
- 发射极-基极击穿电压（V(BR)EBO）：5V（Ic=500mA）
- 集电极-发射极饱和电压（VCEsat）：5.0V（Ic=4.5A，Ib=2A）
- 基极-发射极饱和电压（VBEsat）：1.5V（Ic=4.5A，Ib=2A）
- 集电极截止电流（IcBO）：0.1mA（VcB=750V，Ie=0）
- DC电流增益（hFE-1）：8（Ic=1A，VcE=5V）
- DC电流增益（hFE-2）：3（Ic=4A，VcE=10V）
- 二极管正向电压（VF）：1.6V（IF=5A）
- 下降时间（t1）：0.8s（Ic=4A，Ibend=2A，L8=10H）
- 存储时间（ts）：13.5s
应用信息：
- 适用于线操作的水平偏转输出应用。
封装信息：
- 封装类型：TO-3，具体尺寸见图2。
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