1. 物料型号：3DD201，由Inchange Semiconductor生产的Silicon NPN Power Transistors。
2. 器件简介：
- 3DD201是一款硅NPN功率晶体管，具有TO-3封装。
- 具有高集电极-基极击穿电压：$V_{CBO}=350V$。
- 适用于电视水平输出应用。
3. 引脚分配：
- 1号引脚：基极（Base）
- 2号引脚：发射极（Emitter）
- 3号引脚：集电极（Collector）
4. 参数特性：
- 集电极-基极电压（VCBO）：350V
- 集电极-发射极电压（VCEO）：150V
- 发射极-基极电压（VEBO）：6V
- 集电极电流（Ic）：8A
- 集电极功耗（Pc）：50W（在25°C时）
- 结温（Tj）：150°C
- 存储温度（Tstg）：-55°C至150°C
5. 功能详解：
- 热阻（ROjc）：1.5°C/W（从结到外壳）
- 击穿电压（V(BR)CEO、V(BR)CBO、V(BR)EBO）：分别为150V、350V、6V
- 饱和电压（VcEsat、VBEsat）：分别为1.5V、1.5V
- 截止电流（IcBO、IEBO）：分别为0.5mA、0.1mA
- 直流电流增益（hFE）：40至120
6. 应用信息：适用于电视水平输出应用。
7. 封装信息：TO-3封装，具体尺寸见图2，未标明的公差为±0.1mm。
