1. 物料型号:
- 型号为3DD301B,由INCHANGE Semiconductor生产的Silicon NPN Power Transistor。
2. 器件简介:
- 该器件是一个硅NPN功率晶体管,设计用于黑白电视垂直输出应用。
3. 引脚分配:
- PIN 1: BASE(基极)
- PIN 2: EMITTER(发射极)
- PIN 3: COLLECTOR(CASE)(集电极,与外壳相连)
4. 参数特性:
- 集电极-发射极击穿电压(V(BR)CEO):最小50V
- 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):最大2.0V,在集电极电流IC=3A时
- 基极-发射极电压(VCBO):80V
- 集电极-发射极电压(VCEO):50V
- 基极-发射极电压(VEBO):4V
- 集电极连续电流(Ic):5A
- 集电极功耗(Pc):30W,在环境温度Tc=25°C时
- 结温(TJ):150°C
- 存储温度范围(Tstg):-55~150°C
5. 功能详解:
- 该晶体管主要用于功率放大和开关应用,特别是在黑白电视的垂直输出电路中。
6. 应用信息:
- 设计用于黑白电视垂直输出应用。
7. 封装信息:
- 封装类型为TO-3,具体尺寸参数如下:
- A: 39.00mm
- B: 25.30mm至26.67mm
- C: 7.80mm至8.30mm
- D: 0.90mm至1.10mm
- E: 1.40mm至1.60mm
- G: 10.92mm
- H: 5.46mm
- K: 11.40mm至13.50mm
- L: 16.75mm至17.05mm
- N: 19.40mm至19.62mm
- O: 4.00mm至4.20mm
- U: 30.00mm至30.20mm
- V: 4.30mm至4.50mm