BD235

厂商：
ISC(固电半导体)
封装：
描述：
BD235 - Silicon NPN Power Transistors - Inchange Semiconductor Company Limited

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BD235 数据手册

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ・With TO-126 package ・Complement to type BD234 /236 /238 APPLICATIONS ・For medium power linear and switching applications PINNING PIN 1 2 3 DESCRIPTION Emitter Collector;connected to mounting base Base BD233 BD235 BD237 ・ Absolute maximum ratings (Ta=25℃) SYMBOL PARAMETER BD233 VCBO Collector-base voltage BD235 BD237 BD233 VCEO Collector-emitter voltage BD235 BD237 VEBO IC ICM PC Tj Tstg Emitter -base voltage Collector current (DC) Collector current-Peak Collector power dissipation Junction temperature Storage temperature TC=25℃ Open collector Open base Open emitter CONDITIONS VALUE 45 60 100 45 60 80 5 2 6 25 150 -65~150 V A A W ℃ ℃ V V UNIT Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL VCEsat VBE PARAMETER Collector-emitter saturation voltage Base-emitter on voltage BD233 VCEO(SUS) Collector-emitter sustaining voltage BD235 BD237 BD233 ICBO Collector cut-off current BD235 BD237 IEBO hFE-1 hFE-2 fT Emitter cut-off current DC current gain DC current gain Transition frequency VCB=45V; IE=0 VCB=60V; IE=0 VCB=100V; IE=0 VEB=5V; IC=0 IC=150mA ; VCE=2V IC=1A ; VCE=2V IC=250mA; VCE=10V IC=0.1A; IB=0 CONDITIONS IC=1A; IB=0.1A IC=1A ; VCE=2V BD233 BD235 BD237 MIN TYP. MAX 0.6 1.3 UNIT V V 45 60 80 V 100 μA 1 40 25 3 mA MHz 2 Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors PACKAGE OUTLINE BD233 BD235 BD237 Fig.2 Outline dimensions 3

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BD235

物料型号： - BD233、BD235、BD237

器件简介： - 这些是硅NPN功率晶体管，采用TO-126封装，适用于中功率线性和开关应用。

引脚分配： - 1号引脚：发射极（Emitter） - 2号引脚：集电极，连接到安装底座（Collector; connected to mounting base） - 3号引脚：基极（Base）

参数特性： - VCBO（集电极-基极电压）：BD233为45V，BD235为60V，BD237为100V - VCEO（集电极-发射极电压）：BD233为45V，BD235为60V，BD237为80V - VEBO（发射极-基极电压）：5V - Ic（集电极电流，直流）：2A - ICM（集电极电流-峰值）：6A - Pc（集电极功率耗散）：25W（在Tc=25°C时） - Tj（结温）：150°C - Tstg（存储温度）：-65~150°C

功能详解： - VCEsat（集电极-发射极饱和电压）：IC=1A; IB=0.1A时，最小值为0.6V - VBE（基极-发射极导通电压）：IC=1A; VCE=2V时，最小值为1.3V - VCEO(SUS)（维持电压）：IC=0.1A; IB=0时，BD233为45V，BD235为60V，BD237为80V - ICBO（集电极截止电流）：VCB=45V; IE=0时，最小值为100μA - IEBO（发射极截止电流）：VEB=5V; IC=0时，最小值为1mA - hFE-1（直流电流增益）：IC=150mA; VCE=2V时，最小值为40 - hFE-2（直流电流增益）：IC=1A; VCE=2V时，最小值为25 - fT（过渡频率）：IC=250mA; VCE=10V时，为3MHz

应用信息： - 适用于中功率线性和开关应用。

封装信息： - TO-126封装，具体尺寸见图2。

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