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BD244

BD244

  • 厂商:

    ISC(固电半导体)

  • 封装:

  • 描述:

    BD244 - Silicon PNP Power Transistors - Inchange Semiconductor Company Limited

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
BD244 数据手册
Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors BD244/A/B/C DESCRIPTION ·With TO-220C package ·Complement to type BD243/A/B/C APPLICATIONS ·For medium power linear and switching applications PINNING PIN 1 2 3 DESCRIPTION Emitter Collector;connected to mounting base Base · Absolute maximum ratings (Ta=25℃) SYMBOL PARAMETER BD244 BD244A VCBO Collector-base voltage BD244B BD244C BD244 BD244A VCEO Collector-emitter voltage BD244B BD244C VEBO IC ICM IB PC Tj Tstg Emitter-base voltage Collector current Collector current-peak Base current Collector power dissipation Junction temperature Storage temperature TC=25℃ Open collector Open base -80 -100 -5 -6 -10 -2 65 150 -65~150 V A A A W ℃ ℃ Open emitter -80 -100 -45 -60 V CONDITIONS VALUE -45 -60 V UNIT Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors BD244/A/B/C CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER BD244 BD244A VCEO(SUS) Collector-emitter sustaining voltage BD244B BD244C VCEsat VBE Collector-emitter saturation voltage Base-emitter on voltage BD244/A ICEO Collector cut-off current BD244B/C BD244 BD244A ICES Collector cut-off current BD244B BD244C IEBO hFE-1 hFE-2 Emitter cut-off current DC current gain DC current gain VCE=-80V; VBE=0 VCE=-100V; VBE=0 VEB=-5V; IC=0 IC=-0.3A ; VCE=-4V IC=-3A ; VCE=-4V 30 15 1 mA VCE=-60V; IB=0 VCE=-45V; VBE=0 VCE=-60V; VBE=0 -0.4 mA IC=-6A;IB=-1 A IC=-6A ; VCE=-4V VCE=-30V; IB=0 -0.7 mA IC=-30mA; IB=0 -80 -100 -1.5 -2.0 V V CONDITIONS MIN -45 -60 V TYP. MAX UNIT 2 Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors PACKAGE OUTLINE BD244/A/B/C Fig.2 Outline dimensions (unindicated tolerance:±0.10 mm) 3
BD244
物料型号: - BD244/A/B/C

器件简介: - 这些是Inchange Semiconductor生产的硅PNP功率晶体管,适用于中等功率的线性和开关应用。

引脚分配: - 1号引脚:发射极(Emitter) - 2号引脚:集电极,连接到安装底座(Collector; connected to mounting base) - 3号引脚:基极(Base)

参数特性: - 绝对最大额定值(在25°C环境温度下): - VCBO(集电极-基极电压):BD244为-45V,BD244A为-60V,BD244B为-80V,BD244C为-100V。 - VCEO(集电极-发射极电压):BD244为-45V,BD244A为-60V,BD244B为-80V,BD244C为-100V。 - VEBO(发射极-基极电压):-5V。 - Ic(集电极电流):-6A。 - ICM(集电极峰值电流):-10A。 - Ib(基极电流):-2A。 - Pc(集电极功率耗散):65W。 - T(结温):150°C。 - Tstg(存储温度):-65~150°C。

功能详解: - 包括集电极-发射极维持电压(VCEO(SUS))、集电极-发射极饱和电压(VCEsat)、基极-发射极导通电压(VBE)、集电极截止电流(ICEO、IcES)、发射极截止电流(IEBO)和直流电流增益(hFE-1、hFE-2)等参数。

应用信息: - 适用于中等功率的线性和开关应用。

封装信息: - 采用TO-220C封装。
BD244 价格&库存

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