BD245A

厂商：
ISC(固电半导体)
封装：
描述：
BD245A - isc Silicon NPN Power Transistor - Inchange Semiconductor Company Limited

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INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector Current -IC= 10A ·Collector-Emitter Breakdown Voltage: V(BR)CEO = 45V(Min)- BD245; 60V(Min)- BD245A 80V(Min)- BD245B; 100V(Min)- BD245C ·Complement to Type BD246/A/B/C APPLICATIONS ·Designed for use in general purpose power amplifier and switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃) SYMBOL PARAMETER BD245 Collector-Emitter Voltage (RBE= 100Ω) BD245A BD245B BD245C BD245 Collector-Emitter Voltage BD245A BD245B BD245C VEBO IC ICM IB B BD245/A/B/C VALUE 55 70 UNIT VCER V 90 115 45 60 V 80 100 5 10 15 3 3 W 80 150 -65~150 ℃ ℃ V A A A VCEO Emitter-Base Voltage Collector Current-Continuous Collector Current-Peak Base Current Collector Power Dissipation @ Ta=25℃ Collector Power Dissipation @ TC=25℃ Junction Temperature Storage Temperature Range PC TJ Tstg THERMAL CHARACTERISTICS SYMBOL Rth j-c PARAMETER Thermal Resistance, Junction to Case MAX 1.56 UNIT ℃/W isc Website：www.iscsemi.cn INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor ELECTRICAL CHARACTERISTICS TC=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER BD245 BD245A IC= 30mA ;IB=0 B BD245/A/B/C CONDITIONS MIN 45 60 TYP. MAX UNIT V(BR)CEO Collector-Emitter Breakdown Voltage V 80 100 BD245B BD245C VCE(sat)-1 VCE(sat)-2 VBE(on)-1 VBE(on)-2 Collector-Emitter Saturation Voltage Collector-Emitter Saturation Voltage Base-Emitter On Voltage Base-Emitter On Voltage BD245 BD245A BD245B BD245C BD245/A BD245B/C IC= 3A; IB= 0.3A B 1.0 4.0 1.6 3.0 V V V V IC= 10A; IB= 2.5A IC= 3A ; VCE= 4V IC= 10A ; VCE= 4V VCE= 55V; VBE= 0 VCE= 70V; VBE= 0 ICES Collector Cutoff Current 0.4 VCE= 90V; VBE= 0 VCE= 115V; VBE= 0 VCE= 30V;IB= 0 0.7 VCE= 60V;IB= 0 VEB= 5V; IC=0 IC= 1A ; VCE= 4V IC= 3A ; VCE= 4V IC= 10A ; VCE= 4V IC= 0.5A ;VCE= 10V,ftest= 1.0MHz 40 20 4 3.0 1.0 mA ICEO Collector Cutoff Current mA IEBO hFE-1 hFE-2 hFE-3 fT Emitter Cutoff Current DC Current Gain DC Current Gain DC Current Gain Current-Gain—Bandwidth Product mA MHz Switching times ton toff Turn-on Time Turn-off Time 0.2 0.8 μs μs IC= 1A; IB1= -IB2= 0.1A; RL=20Ω; VBE(OFF)= -3.7V isc Website：www.iscsemi.cn 2 INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor BD245/A/B/C isc Website：www.iscsemi.cn

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BD245A

1. 物料型号： - BD245/A/B/C是NPN型功率晶体管。

2. 器件简介： - 这些晶体管设计用于一般用途的功率放大和开关应用。

3. 引脚分配： - PIN1: BASE（基极） - PIN2: COLLECTOR（集电极） - PIN3: EMITTER（发射极）

4. 参数特性： - 集电极-发射极电压（VCEO）：BD245为45V，BD245A为60V，BD245B为80V，BD245C为100V。 - 集电极电流-连续（Ic）：10A。 - 集电极电流-峰值（ICM）：15A。 - 基极电流（IB）：3A。 - 集电极功耗@Ta=25°C：3W。 - 集电极功耗@Tc=25°C：80W。 - 结温（TJ）：150°C。 - 存储温度范围（Tstg）：-65°C至150°C。

5. 功能详解： - 这些晶体管具有不同的电压和电流等级，适用于不同的功率放大和开关应用。它们能够在高电压和大电流下工作，具有较高的功率处理能力和较快的开关速度。

6. 应用信息： - 设计用于一般用途的功率放大和开关应用。

7. 封装信息： - 封装类型为TO-3PN。 - 封装尺寸参数如下： - A: 19.90mm至20.10mm - B: 15.50mm至15.70mm - C: 4.70mm至4.90mm - D: 0.90mm至1.10mm - E: 1.90mm至2.10mm - F: 3.40mm至3.60mm - G: 2.90mm至3.10mm - H: 3.20mm至3.40mm - J: 0.595mm至0.605mm - K: 20.50mm至20.70mm - N: 10.89mm至10.91mm - Q: 4.90mm至5.10mm - R: 3.35mm至3.45mm - S: 1.995mm至2.005mm - U: 5.90mm至6.10mm - Y: 9.90mm至10.10mm

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