BD277

厂商：
ISC(固电半导体)
封装：
描述：
BD277 - isc Silicon PNP Power Transistor - Inchange Semiconductor Company Limited

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INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon PNP Power Transistor BD277 DESCRIPTION ·Wide Area of Safe Operation ·Low Saturation Voltage·High Power Dissipation APPLICATIONS ·Designed for use in series regulators and shunt regulators. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃) SYMBOL VCBO VCEO VEBO IC IB PC TJ Tstg PARAMETER Collector-Base Voltage Collector-Emitter Voltage Emitter-Base Voltage Collector Current-Continuous Base Current Collector Power Dissipation @ TC=25℃ Junction Temperature Storage Temperature Range VALUE -45 -45 -4 -7 -3 70 150 -65~150 UNIT V V V A A W ℃ ℃ THERMAL CHARACTERISTICS SYMBOL Rth j-c Rth j-a PARAMETER Thermal Resistance, Junction to Case Thermal Resistance, Junction to Ambient MAX 1.78 70 UNIT ℃/W ℃/W isc Website：www.iscsemi.cn INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon PNP Power Transistor ELECTRICAL CHARACTERISTICS TC=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN BD277 MAX UNIT V(BR)CEO Collector-Emitter Breakdown Voltage IC= -0.1A ;IB= 0 -45 V VCE(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage IC= -1.75A; IB= -0.1A -0.5 V VBE(on) Base-Emitter On Voltage IC= -1.75A ; VCE= -2V -1.2 V VCB= -45V; IE= 0 ICBO Collector Cutoff Current VCB= -40V; IE= 0; TC= 150℃ -0.1 mA -2.0 ICEO Collector Cutoff Current VCE= -30V; IB= 0 -1.0 mA IEBO Emitter Cutoff Current VEB= -4V; IC= 0 -1.0 mA hFE DC Current Gain IC= -1.75A; VCE= -2V 30 150 fT Current-Gain—Bandwidth Product IC= -0.5A; VCE= -4V 10 MHz isc Website：www.iscsemi.cn 2

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BD277

1. 物料型号：BD277，是一款由INCHANGE Semiconductor生产的硅PNP功率晶体管。

2. 器件简介： - 具有广泛的安全工作区域。 - 低饱和电压。 - 高功率耗散。

3. 引脚分配： - PIN 1: BASE（基极） - PIN 2: COLLECTOR（集电极） - PIN 3: EMITTER（发射极）

4. 参数特性： - 绝对最大额定值： - VcBO（集电极-基极电压）：-45V - VCEO（集电极-发射极电压）：-45V - VEBO（发射极-基极电压）：-4V - Ic（集电极连续电流）：-7A - Is（基极电流）：-3A - Pc（集电极功率耗散，Tc=25°C）：70W - TJ（结温）：150°C - Tstg（存储温度范围）：-65~150°C

5. 功能详解： - 该晶体管设计用于串联稳压器和并联稳压器。 - 电气特性（TC=25℃，除非另有说明）： - V(BR)CEO（集电极-发射极击穿电压）：Ic=-0.1A;IB=0，范围-45V至无上限。 - VcE(sat)（集电极-发射极饱和电压）：Ic=-1.75A;IB=-0.1A，范围无下限至-0.5V。 - VBE(on)（基极-发射极导通电压）：Ic=-1.75A;VcE=-2V，范围无下限至-1.2V。 - ICBO（集电极截止电流）：VcB=-45V;IE=0，范围无下限至-0.1mA。 - ICEO（集电极截止电流）：VcE=-30V;IB=0，范围无下限至-1.0mA。 - IEBO（发射极截止电流）：VEB=-4V;Ic=0，范围无下限至-1.0mA。 - hFE（直流电流增益）：Ic=-1.75A;VcE=-2V，范围30至150。 - fr（电流增益-带宽积）：Ic=-0.5A;VcE=-4V，范围10至无上限MHz。

6. 应用信息：BD277适用于串联稳压器和并联稳压器。

7. 封装信息：TO-220C封装，具体尺寸参数如下： - A: 15.70mm至15.90mm - B: 9.90mm至10.10mm - C: 4.20mm至4.40mm - D: 0.70mm至0.90mm - F: 3.40mm至3.60mm - G: 4.98mm至5.18mm - H: 2.70mm至2.90mm - J: 0.44mm至0.46mm - K: 13.20mm至13.40mm - L: 1.10mm至1.30mm - Q: 2.70mm至2.90mm - R: 2.50mm至2.70mm - S: 1.29mm至1.31mm - U: 6.45mm至6.65mm - V: 8.66mm至8.86mm

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