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BD433

BD433

  • 厂商:

    ISC(固电半导体)

  • 封装:

  • 描述:

    BD433 - Silicon NPN Power Transistors - Inchange Semiconductor Company Limited

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
BD433 数据手册
Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors BD433/435/437 DESCRIPTION ・With TO-126 package ・Complement to type BD434/436/438 APPLICATIONS ・For medium power linear and switching applications PINNING PIN 1 2 3 DESCRIPTION Emitter Collector;connected to mounting base Base ・ Absolute maximum ratings (Ta=25℃) SYMBOL PARAMETER BD433 VCBO Collector-base voltage BD435 BD437 BD433 VCEO Collector-emitter voltage BD435 BD437 VEBO IC ICM IB PC Tj Tstg Emitter -base voltage Collector current (DC) Collector current-Peak Base current Collector power dissipation Junction temperature Storage temperature TC=25℃ Open collector Open base Open emitter CONDITIONS VALUE 22 32 45 22 32 45 5 4 7 1 36 150 -65~150 V A A A W ℃ ℃ V V UNIT Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER Collector-emitter saturation voltage BD433/435 IC=2A; IB=0.2A BD437 BD433/435 VBE Base-emitter on voltage BD437 BD433 VCEO(SUS) Collector-emitter sustaining voltage BD435 BD437 BD433 ICES Collector cut-off current BD435 BD437 BD433 ICES Collector cut-off current BD435 BD437 IEBO Emitter cut-off current BD433/435 hFE-1 DC current gain BD437 hFE-2 DC current gain BD433/435 hFE-3 DC current gain BD437 fT Transition frequency IC=250mA; VCE=1V IC=2A ; VCE=1V IC=0.5A ; VCE=1V IC=10mA ; VCE=5V VCB=22V; IE=0 VCB=32V; IE=0 VCB=45V; IE=0 VCE=22V; VBE=0 VCE=32V; VBE=0 VCE=45V; VBE=0 VEB=5V; IC=0 IC=0.1A; IB=0 IC=2A ; VCE=1V CONDITIONS BD433/435/437 MIN TYP. MAX 0.5 UNIT VCEsat 0.2 0.6 1.1 V V 1.2 22 32 45 V 100 μA 100 μA 1 40 130 30 85 50 40 3 140 mA MHz 2 Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors PACKAGE OUTLINE BD433/435/437 Fig.2 Outline dimensions 3
BD433
物料型号: - BD433/435/437是Inchange Semiconductor生产的硅NPN功率晶体管的型号。

器件简介: - 这些晶体管采用TO-126封装,是BD434/436/438型号的补充,适用于中等功率的线性和开关应用。

引脚分配: - 1号引脚:发射极(Emitter) - 2号引脚:集电极,连接到安装底座(Collector; connected to mounting base) - 3号引脚:基极(Base)

参数特性: - 绝对最大额定值(在25°C环境温度下): - VcBO(集电极-基极电压):BD433为22V,BD435为32V,BD437为45V。 - VCEO(集电极-发射极电压):BD433在开路发射极条件下为22V,BD435为32V,BD437为45V。 - VEBO(发射极-基极电压):开路集电极条件下为5V。 - lc(集电极直流电流):4A。 - ICM(集电极峰值电流):7A。 - IB(基极电流):1A。 - Pc(集电极功率耗散):在25°C时为36W。 - T(结温):150°C。 - Tstg(储存温度):-65°C至150°C。

功能详解: - 特性表中列出了在25°C结温下,不同工作条件下的参数,包括集电极-发射极饱和电压(VcEsat)、基极-发射极导通电压(VBE)、集电极-发射极维持电压(VCEO(SUS))、集电极截止电流(IcEs)、集电极截止电流(ICES)、发射极截止电流(IEBO)、直流电流增益(hFE-1、hFE-2、hFE-3)和转换频率(fr)。

应用信息: - 这些晶体管适用于中等功率的线性和开关应用。

封装信息: - 图2显示了TO-126封装的外形尺寸。
BD433 价格&库存

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