1. 物料型号：BD539，是ISC品牌的Silicon NPN Power Transistor。
2. 器件简介：
- DC Current Gain（直流电流增益）：hFE=40（最小值）@ Ic=0.5A
- Collector-Emitter Breakdown Voltage（集电极-发射极击穿电压）：V(BR)CEO=40V（最小值）
- 与BD540型号互补。
3. 引脚分配：
- PIN 1: BASE（基极）
- PIN 2: COLLECTOR（集电极）
- PIN 3: EMITTER（发射极）
4. 参数特性：
- ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS（绝对最大额定值）：包括VCBO（集电极-基极电压）40V、VCEO（集电极-发射极电压）40V、VEBO（发射极-基极电压）5V、Ic（集电极电流-连续）5A等。
- THERMAL CHARACTERISTICS（热特性）：包括Rth j-c（结到外壳热阻）2.78°C/W、Rth j-a（结到环境热阻）62.5°C/W。
5. 功能详解：
- 该器件设计用于中等功率的线性和开关应用。
- 电气特性包括不同条件下的V(BR)CEO、VCE(sat)、VBE(on)、ICEO、ICES、IEBO和hFE等参数。
6. 应用信息：
- 适用于中等功率的线性和开关应用。
7. 封装信息：
- 封装形式为TO-220C，具体尺寸参数包括A到V的不同测量值。
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