BD540A

厂商：
ISC(固电半导体)
封装：
描述：
BD540A - isc Silicon PNP Power Transistor - Inchange Semiconductor Company Limited

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BD540A 数据手册

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon PNP Power Transistor BD540A DESCRIPTION ·DC Current Gain : hFE = 40(Min.)@ IC= -0.5A ·Collector-Emitter Breakdown Voltage: V(BR)CEO= -60V(Min) ·Complement to Type BD539A APPLICATIONS ·Designed for use in medium power linear and switching applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃) SYMBOL VCBO VCEO VEBO IC PARAMETER Collector-Base Voltage Collector-Emitter Voltage Emitter-Base Voltage Collector Current-Continuous Collector Power Dissipation @ Ta=25℃ Collector Power Dissipation @ TC=25℃ Junction Temperature Storage Temperature Range VALUE -60 -60 -5 -5 2 W 45 150 -65~150 ℃ ℃ UNIT V V V A PC TJ Tstg THERMAL CHARACTERISTICS SYMBOL Rth j-c Rth j-a PARAMETER Thermal Resistance, Junction to Case Thermal Resistance, Junction to Ambient MAX 2.78 62.5 UNIT ℃/W ℃/W isc Website：www.iscsemi.cn INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon PNP Power Transistor ELECTRICAL CHARACTERISTICS TC=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN BD540A MAX UNIT V(BR)CEO Collector-Emitter Breakdown Voltage IC= -30mA; IB= 0 -60 V VCE(sat)-1 Collector-Emitter Saturation Voltage IC= -1A; IB= -0.125A B -0.25 V VCE(sat)-2 Collector-Emitter Saturation Voltage IC= -3A; IB= -0.375A B -0.8 V VCE(sat)-3 Collector-Emitter Saturation Voltage IC= -5A; IB= -1A B -1.5 V VBE(on) Base-Emitter On Voltage IC= -3A; VCE= -4V -1.25 V ICEO Collector Cutoff Current VCB= -30V; IB= 0 B -0.3 mA ICES Collector Cutoff Current VCE= -60V; VBE= 0 -0.2 mA IEBO Emitter Cutoff Current VEB= -5V; IC= 0 -1.0 mA hFE-1 DC Current Gain IC= -0.5A; VCE= -4V 40 hFE-2 DC Current Gain IC= -1A; VCE= -4V 30 hFE-3 DC Current Gain IC= -3A; VCE= -4V 12 isc Website：www.iscsemi.cn 2

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BD540A

物料型号： - BD540A

器件简介： - BD540A是一个硅PNP功率晶体管，主要用于中等功率的线性和开关应用。它是BD539A的互补型号。

引脚分配： - PIN 1: BASE（基极） - PIN 2: COLLECTOR（集电极） - PIN 3: EMITTER（发射极） - 封装类型：TO-220C

参数特性： - DC Current Gain（直流电流增益）：最小40（在Ic=-0.5A时） - Collector-Emitter Breakdown Voltage（集电极-发射极击穿电压）：最小-60V - ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS（绝对最大额定值）： - VCBO（集电极-基极电压）：-60V - VCEO（集电极-发射极电压）：-60V - VEBO（发射极-基极电压）：-5V - IC（集电极电流-连续）：-5A - 集电极功率耗散@Ta=25℃：2W - 集电极功率耗散@Tc=25℃：45W - TJ（结温）：150℃ - Tstg（存储温度范围）：-65~150℃

功能详解： - 该晶体管设计用于中等功率的线性和开关应用，具有特定的电气特性，如集电极-发射极击穿电压、集电极-发射极饱和电压、基极-发射极导通电压等。

应用信息： - 设计用于中等功率的线性和开关应用。

封装信息： - 封装类型：TO-220C - 封装尺寸参数（单位：mm）： - A: 15.70-15.90 - B: 9.90-10.10 - C: 4.20 - D: 0.70 - E: 3.40-4.98 - G: 4.40 - H: 2.70-2.90 - J: 0.44-0.46 - K: 13.20-13.40 - Q: 1.10-2.90 - R: 1.29-1.31 - U: 6.45-6.65 - V: 8.66

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