BD543A

厂商：
ISC(固电半导体)
封装：
描述：
BD543A - Silicon NPN Power Transistors - Inchange Semiconductor Company Limited

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Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors BD543/A/B/C DESCRIPTION ・With TO-220C package ・Complement to type BD544/A/B/C ・8 A continuous collector current ・10 A peak Collector current ・ PINNING PIN 1 2 3 Base Collector;connected to mounting base Emitter DESCRIPTION Absolute maximum ratings (Ta=25℃) SYMBOL PARAMETER BD543 BD543A VCBO Collector-base voltage BD543B BD543C BD543 BD543A VCEO Collector-emitter voltage BD543B BD543C VEBO IC ICM PC Tj Tstg Emitter-base voltage Collector current Collector current-peak Collector power dissipation Junction temperature Storage temperature TC=25℃ Open collector Open base 80 100 5 8 10 70 -65~150 -65~150 V A A W ℃ ℃ Open emitter 80 100 40 60 V CONDITIONS VALUE 40 60 V UNIT Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors BD543/A/B/C CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER BD543 Collector-emitter breakdown voltage BD543A IC=30mA ;IB=0 BD543B BD543C VCEsat-1 VCEsat-2 VCEsat-3 VBE Collector-emitter saturation voltage Collector-emitter saturation voltage Collector-emitter saturation voltage Base-emitter on voltage Collector cut-off current Emitter cut-off current DC current gain DC current gain DC current gain BD543/543A BD543B/543C IC=3A ;IB=0.3A IC=5A ;IB=1A IC=8A ;IB=1.6A IC=5A ; VCE=4V VCE=30V;IB=0 0.7 VCE=60V;IB=0 VEB=5V; IC=0 IC=1A ; VCE=4V IC=3A ; VCE=4V IC=5A ; VCE=4V 60 40 15 1 mA mA 80 100 0.5 0.5 1 1.6 V V V V CONDITIONS MIN 40 60 V TYP. MAX UNIT V(BR)CEO ICEO IEBO hFE-1 hFE-2 hFE-3 Switching times ton toff Turn-on time Turn-off time IC=6A; IB1=-IB2=0.6A RL=5Ω 0.6 1.0 μs μs 2 Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors PACKAGE OUTLINE BD543/A/B/C Fig.2 Outline dimensions (unindicated tolerance:±0.10 mm) 3

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BD543A

1. 物料型号： - 型号：BD543/A/B/C - 制造商：Inchange Semiconductor

2. 器件简介： - 该器件为硅NPN功率晶体管，具有TO-220C封装，与BD544/A/B/C型号互补。 - 连续集电极电流为8A，峰值集电极电流为10A。

3. 引脚分配： - 引脚1：基极（Base） - 引脚2：集电极，连接到安装底座（Collector; connected to mounting base） - 引脚3：发射极（Emitter）

4. 参数特性： - 集电极-基极电压（VCBO）：BD543为40V，BD543A为60V，BD543B为80V，BD543C为100V。 - 集电极-发射极电压（VCEO）：BD543为40V，BD543A为60V，BD543B为80V，BD543C为100V。 - 发射极-基极电压（VEBO）：5V。 - 集电极电流（Ic）：8A。 - 峰值集电极电流（ICM）：10A。 - 集电极功耗（Pc）：70W（在25°C时）。 - 结温（Tj）：-65至150°C。 - 存储温度（Tstg）：-65至150°C。

5. 功能详解： - 该晶体管在25°C下工作，除非另有说明。 - 集电极-发射极击穿电压（V(BR)CEO）：BD543为40V，BD543A为60V，BD543B为80V，BD543C为100V。 - 集电极-发射极饱和电压（VCEsat）：在不同条件下分别为0.5V和1V。 - 基极-发射极导通电压（VBE）：1.6V。 - 集电极截止电流（ICEO）：0.7mA。 - 发射极截止电流（IEBO）：1mA。 - 直流电流增益（hFE）：在不同集电极电流下分别为60、40和15。

6. 应用信息： - 该晶体管适用于需要NPN功率放大的场合，具体应用需根据其电气特性和功率要求来确定。

7. 封装信息： - 封装类型：TO-220C - 封装图示和尺寸详见文档中的图2，未标明的公差为0.10mm。

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