BD544

厂商：
ISC(固电半导体)
封装：
描述：
BD544 - isc Silicon PNP Power Transistors - Inchange Semiconductor Company Limited

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INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ·70 W at 25°C Case Temperature ·Complement to Type BD543/A/B/C ·8 A Continuous Collector Current APPLICATIONS ·Designed for high power audio amplifier applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃) SYMBOL PARAMETER BD544 BD544A VCBO Collector-Base Voltage BD544B BD544C BD544 BD544A VCEO Collector-Emitter Voltage BD544B BD544C VEBO IC ICM Emitter-Base Voltage Collector Current-Continuous Collector Current-Peak Collector Power Dissipation @ TC=25℃ Collector Power Dissipation @ Ta=25℃ Junction Temperature Storage Temperature Range -80 -100 -5 -8 -10 70 W 2 150 -65~150 ℃ ℃ V A A -80 -100 -40 -60 V VALUE -40 -60 V UNIT BD544/A/B/C PC TJ Tstg THERMAL CHARACTERISTICS SYMBOL Rth j-c Rth j-a PARAMETER Thermal Resistance,Junction to Case Thermal Resistance,Junction to Ambient MAX 4.17 62.5 UNIT ℃/W ℃/W isc Website：www.iscsemi.cn INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon PNP Power Transistors ELECTRICAL CHARACTERISTICS TC=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER BD544 BD544A IC= -30mA ; IB= 0 BD544B BD544C VCE(sat)-1 VCE(sat)-2 VCE(sat)-3 VBE(on) Collector-Emitter Saturation Voltage Collector-Emitter Saturation Voltage Collector-Emitter Saturation Voltage Base-Emitter On Voltage BD544 BD544A BD544B BD544C BD544/A BD544B/C IEBO hFE-1 hFE-2 hFE-3 Emitter Cutoff Current DC Current Gain DC Current Gain DC Current Gain IC= -3A; IB= -0.3A B BD544/A/B/C CONDITIONS MIN -40 -60 TYP. MAX UNIT V(BR)CEO Collector-Emitter Breakdown Voltage V -80 -100 -0.5 -0.5 -1.0 -1.4 -0.4 -0.4 mA -0.4 -0.4 -0.7 mA V V V V IC= -5A; IB= -1A B IC= -8A; IB= -1.6A B IC= -5A; VCE= -4V VCE= -40V; VBE= 0 VCE= -60V; VBE= 0 VCE= -80V; VBE= 0 VCE= -100V; VBE= 0 VCE= -30V; IB= 0 B ICES Collector Cutoff Current ICEO Collector Cutoff Current VCE= -60V; IB= 0 B VEB= -5V; IC= 0 IC= -1A ; VCE= -4V IC= -3A ; VCE= -4V IC= -5A ; VCE= -4V 60 40 15 -1 mA Switching Times ton toff Turn-On Time Turn-Off Time 0.4 0.7 μs μs IC= -6A; IB1= -IB2= -0.6A; VBE(off)= 4V, RL= 5Ω isc Website：www.iscsemi.cn 2

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BD544

1. 物料型号： - BD544/A/B/C

2. 器件简介： - BD544/A/B/C是硅PNP功率晶体管，具有70W在25°C的外壳温度下、互补型号BD543/A/B/C、连续集电极电流8A等特点，设计用于高功率音频放大器应用。

3. 引脚分配： - PIN 1.BASE - PIN 2.COLLECTOR - PIN 3.EMITTER

4. 参数特性： - 集电极-基极电压（VcBO）、集电极-发射极电压（VCEO）、发射极-基极电压（VEBO）、连续集电极电流（Ic）、峰值集电极电流（IcM）、25°C时集电极功率耗散（Pc）、结温（TJ）、存储温度范围（Tstg）。

5. 功能详解： - 包括热特性参数，如结到壳体的热阻（Rth j-c）和结到环境的热阻（Rth j-a）。 - 电气特性参数，如集电极-发射极击穿电压（V(BR)CEO）、集电极-发射极饱和电压（VcE(sat)）、基极-发射极导通电压（VBE(on)）、集电极截止电流（ICEs）和发射极截止电流（IEBO）、直流电流增益（hFE）以及开关时间（ton和toff）。

6. 应用信息： - 设计用于高功率音频放大器应用。

7. 封装信息： - 封装类型为TO-220C，具体尺寸参数包括A、B、C、D、F、G、H、J、K、L、Q、R、S、U、V等。

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