BD650

厂商：
ISC(固电半导体)
封装：
描述：
BD650 - isc Silicon PNP Darlington Power Transistor - Inchange Semiconductor Company Limited

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INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon PNP Darlington Power Transistor BD650 DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage: V(BR)CEO= -100V(Min) ·High DC Current Gain : hFE= 750(Min) @IC= -3A ·Low Saturation Voltage ·Complement to Type BD649 APPLICATIONS ·Designed for use as complementary AF push-pull output stage applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃) SYMBOL VCBO VCEO VEBO IC ICP IB B PARAMETER Collector-Base Voltage Collector-Emitter Voltage Emitter-Base Voltage Collector Current-Continuous Collector Current-Peak Base Current-Continuous Collector Power Dissipation @ Ta=25℃ Collector Power Dissipation @ TC=25℃ Junction Temperature Storage Temperature Range VALUE -120 -100 -5 -8 -12 -0.3 2 UNIT V V V A A A PC W 62.5 150 -65~150 ℃ ℃ TJ Tstg THERMAL CHARACTERISTICS SYMBOL Rth j-c Rth j-a PARAMETER Thermal Resistance,Junction to Case Thermal Resistance,Junction to Ambient MAX 2 62.5 UNIT ℃/W ℃/W isc Website：www.iscsemi.cn INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon PNP Darlington Power Transistor ELECTRICAL CHARACTERISTICS TC=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP. BD650 MAX UNIT VCEO(SUS) Collector-Emitter Breakdown Voltage IC= -30mA; IB= 0 -100 V VCE(sat)-1 VCE(sat)-2 VBE(sat) VBE(on) Collector-Emitter Saturation Voltage IC= -3A; IB= -12mA B -2.0 V Collector-Emitter Saturation Voltage IC= -5A; IB= -50mA B -2.5 V Base-Emitter Saturation Voltage IC= -5A; IB= -50mA B -3.0 V Base-Emitter On Voltage IC= -3A ; VCE= -3V -2.5 V VCB= -100V; IE= 0 ICBO Collector Cutoff Current VCB= -60V; IE= 0; TC= 150℃ -0.2 mA -2.0 ICEO Collector Cutoff Current VCE= -50V; IB= 0 B -0.5 mA IEBO Emitter Cutoff Current VEB= -5V; IC= 0 -5 mA hFE DC Current Gain IC= -3A ; VCE= -3V 750 isc Website：www.iscsemi.cn 2

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BD650

物料型号： - 型号：BD650

器件简介： - BD650是一个硅PNP达林顿功率晶体管，具有高直流电流增益（hFE=750最小值@IC=-3A）和低饱和电压。它被设计用于作为互补的音频推挽输出级应用。

引脚分配： - PIN 1: BASE（基极） - PIN 2: COLLECTOR（集电极） - PIN 3: EMITTER（发射极）

参数特性： - 集电极-发射极击穿电压（VCEO）：-100V（最小值） - 直流电流增益（hFE）：750（最小值@IC=-3A） - 集电极电流-连续（Ic）：-8A - 集电极功率耗散@Ta=25°C：2W - 集电极功率耗散@Tc=25°C：62.5W - 结温（TJ）：150℃ - 存储温度范围（Tstg）：-65~150℃

功能详解： - BD650设计用于互补的音频推挽输出级应用，与BD649型号互补。

应用信息： - 适用于互补音频推挽输出级应用。

封装信息： - 封装类型：TO-220C - 封装尺寸参数如下： - A: 15.70-15.90mm - B: 9.90-10.10mm - C: 4.20-4.40mm - D: 0.70-0.90mm - F: 3.40-3.60mm - G: 4.98-5.18mm - H: 2.70-2.90mm - J: 0.44-0.46mm - K: 13.20-13.40mm - L: 1.10-1.30mm - Q: 2.70-2.90mm - R: 2.50-2.70mm - S: 1.29-1.31mm - U: 6.45-6.65mm - V: 8.66-8.86mm

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