1. 物料型号：
- BD676A/678A/680A/682是Inchange Semiconductor生产的Silicon PNP Power Transistors。
2. 器件简介：
- 这些器件是硅PNP功率晶体管，具有高直流电流增益，适用于中等功率的线性和开关应用。
3. 引脚分配：
- PIN 1: Emitter（发射极）
- PIN 2: Collector; connected to mounting base（集电极；连接到安装底座）
- PIN 3: Base（基极）
4. 参数特性：
- 绝对最大额定值（Ta=25°C）：
- VCBO（集电极-基极电压）：BD676A为-45V，BD678A为-60V，BD680A为-80V，BD682为-100V。
- VCEO（集电极-发射极电压）：BD676A开路基极时为-45V，BD678A为-60V，BD680A为-80V，BD682为-100V。
- VEBO（发射极-基极电压）：开路集电极时为-5V。
- lc（集电极电流）：-4A。
- ICM（集电极峰值电流）：-6A。
- IB（基极电流）：-0.1A。
- Pc（集电极功率耗散）：40W（Tc=25°C）。
- Tj（结温）：150°C。
- Tstg（储存温度）：-65~150°C。
5. 功能详解：
- 这些晶体管在25°C下的特性参数包括击穿电压、饱和电压、截止电流和直流电流增益等。
6. 应用信息：
- 适用于中等功率的线性和开关应用。
7. 封装信息：
- 封装类型为TO-126，文档中提供了简化外形图和符号（Fig.1）以及外形尺寸图（Fig.2）。
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