BD709

厂商：
ISC(固电半导体)
封装：
描述：
BD709 - Silicon NPN Power Transistors - Inchange Semiconductor Company Limited

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Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ・With TO-220C package ・The BD707 and BD711are respectively complement to type BD708 and BD712 APPLICATIONS ・Intented for use in power linear and switching applications. PINNING PIN 1 2 3 Base Collector;connected to mounting base Emitter DESCRIPTION BD707 BD709 BD711 Absolute maximum ratings(Ta=25℃) SYMBOL PARAMETER BD707 VCBO Collector-base voltage BD709 BD711 BD707 VCEO Collector-emitter voltage BD709 BD711 VEBO IC ICM IB PT Tj Tstg Emitter-base voltage Collector current-DC Collector current-Pulse Base current Total dissipation Junction temperature Storage temperature TC=25℃ Open collector Open base Open emitter CONDITIONS VALUE 60 80 100 V 60 80 100 5 12 18 5 75 150 -65~150 V A A A W ℃ ℃ UNIT THERMAL CHARACTERISTICS SYMBOL Rth j-c PARAMETER Thermal resistance junction to case MAX 1.67 UNIT ℃/W Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors BD707 BD709 BD711 CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER BD707 VCEO(SUS) Collector-emitter sustaining voltage BD709 BD711 VCEsat VBE Collector-emitter saturation voltage Base-emitter voltage BD707 ICBO Collector cut-off current BD709 BD711 BD707 ICEO Collector cut-off current BD709 BD711 IEBO hFE-1 hFE-2 hFE-3 Emitter cut-off current DC current gain DC current gain only for BD707/709 DC current gain BD707 hFE-4 DC current gain BD709 BD711 fT Transition frequency IC=0.3A;VCE=3V; 3 IC=10A ; VCE=4V IC=4A ,IB=0.4A IC=4A , VCE=4V VCB=60V, IE=0 TC=150℃ VCB=80V, IE=0 TC=150℃ VCB=100V, IE=0 TC=150℃ VCE=30V, IB=0 VCE=40V, IB=0 VCE=50V, IB=0 VEB=5V; IC=0 IC=0.5A ; VCE=2V IC=2A ; VCE=2V IC=4A ; VCE=2V 40 30 15 5 10 8 8 MHz 150 120 1.0 400 mA 0.1 mA IC=0.1A, IB=0 CONDITIONS MIN 60 80 100 1.0 1.5 0.1 1.0 0.1 1.0 0.1 1.0 V V V TYP. MAX UNIT mA 2 Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors PACKAGE OUTLINE BD707 BD709 BD711 Fig.2 Outline dimensions 3

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BD709

### 物料型号 - BD707、BD709、BD711：这些是Inchange Semiconductor生产的硅NPN功率晶体管型号。

### 器件简介 - 这些晶体管采用TO-220C封装，BD707和BD711分别是BD708和BD712的补充型号。

### 引脚分配 - 引脚1：基极（Base） - 引脚2：集电极，连接到安装底（Collector; connected to mounting base） - 引脚3：发射极（Emitter）

### 参数特性 - 绝对最大额定值（Ta=25℃）： - VCBO（集电极-基极电压）：BD707为60V，BD709为80V，BD711为100V。 - VCEO（集电极-发射极电压）：BD707为60V，BD709为80V，BD711为100V。 - VEBO（发射极-基极电压）：5V。 - Ic（集电极电流-DC）：12A。 - IcM（集电极电流-脉冲）：18A。 - Ib（基极电流）：5A。 - PT（总耗散功率）：75W。 - Tj（结温）：150℃。 - Tstg（存储温度）：-65~150℃。

- 热特性： - Rthj-c（结到外壳的热阻）：1.67℃/W。

### 功能详解 - 这些晶体管在Tj=25℃下的特性，除非另有说明。 - VCEO(SUS)（集电极-发射极维持电压）：BD707为60V，BD709为80V，BD711为100V。 - VcEsat（集电极-发射极饱和电压）：1.0V。 - VBE（基极-发射极电压）：1.5V。 - IcBO（集电极截止电流）：0.1~1.0mA。 - ICEO（集电极截止电流）：0.1mA。 - IEBO（发射极截止电流）：1.0mA。 - hFE（直流电流增益）：hFE-1为40~120~400，hFE-2为30~（仅BD707/709），hFE-3为15~150，hFE-4为5~10。 - fT（过渡频率）：3MHz。

### 应用信息 - 这些晶体管适用于功率线性和开关应用。

### 封装信息 - 封装类型为TO-220C，具体尺寸和符号见图1简化外形图和符号。

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