0
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心
发布
  • 发文章

  • 发资料

  • 发帖

  • 提问

  • 发视频

创作活动
BD724

BD724

  • 厂商:

    ISC(固电半导体)

  • 封装:

  • 描述:

    BD724 - isc Silicon PNP Power Transistor - Inchange Semiconductor Company Limited

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
BD724 数据手册
INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon PNP Power Transistor BD724 DESCRIPTION ·DC Current Gain: hFE= 40@ IC= -0.5A ·Collector-Emitter Breakdown Voltage : V(BR)CEO= -100V(Min) ·Complement to type BD723 APPLICATIONS ·Designed for use in audio output and general purpose amplifier applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃) SYMBOL VCBO VCEO VEBO IC ICM IB B PARAMETER Collector-Base Voltage Collector-Emitter Voltage Emitter-Base Voltage Collector Current-Continuous Collector Current-Peak Base Current-Continuous Collector Power Dissipation @ TC=25℃ Junction Temperature Storage Temperature Range VALUE -100 -100 -5 -4 -7 -1 30 150 -65~150 UNIT V V V A A A W ℃ ℃ PC TJ Tstg THERMAL CHARACTERISTICS SYMBOL Rth j-c Rth j-a PARAMETER Thermal Resistance,Junction to Case Thermal Resistance,Junction to Ambient MAX 3.5 100 UNIT ℃/W ℃/W isc Website:www.iscsemi.cn INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon PNP Power Transistor ELECTRICAL CHARACTERISTICS TC=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP. BD724 MAX UNIT V(BR)CEO Collector-Emitter Breakdown Voltage IC= -30mA ; IB= 0 -100 V VCE(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage IC= -2A; IB= -0.2A B -1.0 V VBE(on) Base-Emitter On Voltage IC= -2A; VCE= -4V -1.4 V μA VCB= -100V; IE= 0 ICBO Collector Cutoff Current VCB= -50V; IE= 0; TC= 150℃ -50 -1 mA ICEO Collector Cutoff Current VCE= -50V; IB= 0 B -0.1 mA IEBO Emitter Cutoff Current VEB= -5V; IC= 0 -0.2 mA hFE-1 DC Current Gain IC= -0.5A; VCE= -4V 40 hFE-2 DC Current Gain IC= -2A; VCE= -4V 20 fT Current-Gain—Bandwidth Product IC= -0.5A; VCE= -4V 3 MHz Switching Times μs μs ton Turn-On time IC= -1A; IB1= -IB2= -0.1A; VCC= -20V 0.1 toff Turn-Off time 0.4 isc Website:www.iscsemi.cn 2
BD724
物料型号: - 型号为BD724,是ISC品牌的一款硅PNP功率晶体管。

器件简介: - BD724是一款硅PNP晶体管,直流电流增益为hFE=40(在IC=-0.5A时),集电极-发射极击穿电压V(BR)CEO至少为100V,是BD723型号的补充。

引脚分配: - 1.发射极(Emitter) - 2.集电极(Collector) - 3.基极(Base)

参数特性: - 绝对最大额定值: - 集电极-基极电压VCBO:-100V - 集电极-发射极电压VCEO:-100V - 发射极-基极电压VEBO:-5V - 集电极电流Ic(连续):-4A - 集电极电流ICM(峰值):-7A - 基极电流IB(连续):-1A - 集电极功耗Pc(在Tc=25°C时):30W - 结温TJ:150°C - 存储温度范围Tstg:-65~150°C

功能详解: - BD724设计用于音频输出和通用放大应用。

应用信息: - 适用于音频输出和通用目的放大应用。

封装信息: - 封装类型为TO-126。 - 封装尺寸参数如下(单位:mm): - A:10.70-10.90 - B:7.70-7.90 - C:2.60-2.80 - D:0.66-0.86 - F:3.10-3.30 - G:4.48-4.68 - H:2.00-2.20 - J:1.35-1.55 - K:16.10-16.30 - Q:3.70-3.90 - R:0.40-0.60 - V:1.17-1.37
BD724 价格&库存

很抱歉,暂时无法提供与“BD724”相匹配的价格&库存,您可以联系我们找货

免费人工找货