BD726

厂商：
ISC(固电半导体)
封装：
描述：
BD726 - isc Silicon PNP Power Transistor - Inchange Semiconductor Company Limited

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BD726 数据手册

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon PNP Power Transistor BD726 DESCRIPTION ·DC Current Gain: hFE= 40@ IC= -0.5A ·Collector-Emitter Breakdown Voltage : V(BR)CEO= -120V(Min) ·Complement to type BD725 APPLICATIONS ·Designed for use in audio output and general purpose amplifier applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃) SYMBOL VCBO VCEO VEBO IC ICM IB B PARAMETER Collector-Base Voltage Collector-Emitter Voltage Emitter-Base Voltage Collector Current-Continuous Collector Current-Peak Base Current-Continuous Collector Power Dissipation @ TC=25℃ Junction Temperature Storage Temperature Range VALUE -120 -120 -5 -4 -7 -1 30 150 -65~150 UNIT V V V A A A W ℃ ℃ PC TJ Tstg THERMAL CHARACTERISTICS SYMBOL Rth j-c Rth j-a PARAMETER Thermal Resistance,Junction to Case Thermal Resistance,Junction to Ambient MAX 3.5 100 UNIT ℃/W ℃/W isc Website：www.iscsemi.cn INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon PNP Power Transistor ELECTRICAL CHARACTERISTICS TC=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP. BD726 MAX UNIT V(BR)CEO Collector-Emitter Breakdown Voltage IC= -30mA ; IB= 0 -120 V VCE(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage IC= -2A; IB= -0.2A B -1.0 V VBE(on) Base-Emitter On Voltage IC= -2A; VCE= -4V -1.4 V μA VCB= -120V; IE= 0 ICBO Collector Cutoff Current VCB= -60V; IE= 0; TC= 150℃ -50 -1 mA ICEO Collector Cutoff Current VCE= -60V; IB= 0 B -0.1 mA IEBO Emitter Cutoff Current VEB= -5V; IC= 0 -0.2 mA hFE-1 DC Current Gain IC= -0.5A; VCE= -4V 40 hFE-2 DC Current Gain IC= -2A; VCE= -4V 20 fT Current-Gain—Bandwidth Product IC= -0.5A; VCE= -4V 3 MHz Switching Times μs μs ton Turn-On time IC= -1A; IB1= -IB2= -0.1A; VCC= -20V 0.1 toff Turn-Off time 0.4 isc Website：www.iscsemi.cn 2

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BD726

1. 物料型号： - 型号为BD726，是ISC品牌的硅PNP功率晶体管。

2. 器件简介： - BD726是一款硅PNP功率晶体管，直流电流增益（hFE）为40（在集电极电流IC=-0.5A时），集电极-发射极击穿电压（V(BR)CEO）最小为120V，是BD725型号的补充。

3. 引脚分配： - 1.发射极（Emitter） - 2.集电极（Collector） - 3.基极（Base），封装类型为TO-126。

4. 参数特性： - 集电极-基极电压（VCBO）：-120V - 集电极-发射极电压（VCEO）：-120V - 发射极-基极电压（VEBO）：-5V - 集电极电流（IC）：连续-4A，峰值-7A - 基极电流（IB）：连续-1A - 集电极功耗（PC）在TC=25℃时为30W - 结温（TJ）为150℃ - 存储温度范围（Tstg）为-65~150℃

5. 功能详解： - 设计用于音频输出和通用放大应用。

6. 应用信息： - 适用于音频输出和通用目的放大应用。

7. 封装信息： - 封装类型为TO-126，具体尺寸参数如下： - A：10.70-10.90mm - B：7.70-7.90mm - C：2.60-2.80mm - D：0.66-0.86mm - F：3.10-3.30mm - G：4.48-4.68mm - H：2.00-2.20mm - K：16.10-1.35mm/16.30-1.55mm - Q：3.70-3.90mm - R：0.40-0.60mm - V：1.17-1.37mm

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