BD743A

厂商：
ISC(固电半导体)
封装：
描述：
BD743A - Silicon NPN Power Transistors - Inchange Semiconductor Company Limited

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BD743A 数据手册

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ・With TO-220C package ・Complement to type BD744/A/B/C ・High current capability ・High power dissipation APPLICATIONS ・For use in power linear and switching applications PINNING PIN 1 2 3 Base Collector;connected to mounting base Emitter DESCRIPTION BD743/A/B/C ・ Absolute maximum ratings (Ta=25℃) SYMBOL PARAMETER BD743 BD743A VCBO Collector-base voltage BD743B BD743C BD743 BD743A VCEO Collector-emitter voltage BD743B BD743C VEBO IC ICM IB PC Tj Tstg Emitter-base voltage Collector current Collector current-peak Base current TC=25℃ Collector power dissipation Ta=25℃ Junction temperature Storage temperature 2 150 -65~150 ℃ ℃ Open collector Open base 80 100 5 15 20 5 90 W V A A A Open emitter 90 110 45 60 V CONDITIONS VALUE 50 70 V UNIT Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER BD743 Collector-emitter breakdown voltage BD743A IC=30mA; IB=0 BD743B BD743C VCEsat-1 VCEsat-2 VBE -1 VBE -2 Collector-emitter saturation voltage Collector-emitter saturation voltage Base-emitter on voltage Base-emitter on voltage BD743/A ICEO Collector cut-off current BD743B/C BD743 BD743A ICBO Collector cut-off current BD743B BD743C IEBO hFE-1 hFE-2 hFE-3 Emitter cut-off current DC current gain DC current gain DC current gain VCE=60V; IB=0 VCE=50V; VBE=0 TC=125℃ VCE=70V; VBE=0 TC=125℃ VCE=90V; VBE=0 TC=125℃ VCE=110V; VBE=0 TC=125℃ VEB=5V; IC=0 IC=1A ; VCE=4V IC=5A ; VCE=4V IC=15A ; VCE=4V 40 20 5 IC=5 A;IB=0.5 A IC=15 A;IB=5 A IC=5A ; VCE=4V IC=15A ; VCE=4V VCE=30V; IB=0 80 100 CONDITIONS MIN 45 60 BD743/A/B/C TYP. MAX UNIT V(BR)CEO V 1.0 3.0 1.0 3.0 V V V V 0.1 0.1 5.0 0.1 5.0 0.1 5.0 0.1 5.0 0.5 mA mA mA 150 Switching times resistive load td tr ts tf Delay time Rise time Storage time Fall time IC=5 A;IB1=-IB2=0.5 A VBE(off)=-4.2V; RL=6Ω tp=20μs 0.02 0.35 0.5 0.4 μs μs μs μs THERMAL CHARACTERISTICS SYMBOL Rth j-c PARAMETER Thermal resistance junction to case 2 MAX 1.40 UNIT ℃/W Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors PACKAGE OUTLINE BD743/A/B/C Fig.2 Outline dimensions (unindicated tolerance:±0.10 mm) 3

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BD743A

1. 物料型号： - 型号：BD743/A/B/C，由Inchange Semiconductor生产。

2. 器件简介： - BD743/A/B/C是硅NPN功率晶体管，具有TO-220C封装，与BD744/A/B/C型号互补。这些晶体管具有高电流能力和高功率耗散能力。

3. 引脚分配： - 1号引脚：基极（Base） - 2号引脚：集电极，连接到安装底座（Collector; connected to mounting base） - 3号引脚：发射极（Emitter）

4. 参数特性： - 绝对最大额定值（在25°C环境温度下）： - 集电极-基极电压（VCBO）：BD743为50V，BD743A为70V，BD743B为90V，BD743C为110V。 - 集电极-发射极电压（VCEO）：BD743为45V，BD743A为60V，BD743B为80V，BD743C为100V。 - 发射极-基极电压（VEBO）：5V。 - 集电极电流（Ic）：15A。 - 集电极峰值电流（IcM）：20A。 - 基极电流（Ib）：5A。 - 集电极功率耗散（Pc）：在25°C时为90W，在25°C环境温度下为2W。 - 结温（Tj）：150°C。 - 存储温度（Tstg）：-65°C至150°C。

5. 功能详解： - 该晶体管在25°C结温下的特性包括： - 集电极-发射极击穿电压（V(BR)CEO）：BD743为45V，BD743A为60V，BD743B为80V，BD743C为100V。 - 集电极-发射极饱和电压（VCEsat）：在5A集电极电流下为1.0V，在15A集电极电流下为3.0V。 - 基极-发射极导通电压（VBE）：在5A集电极电流和4V集电极-发射极电压下为1.0V。 - 集电极截止电流（ICEO）：BD743/A为0.1mA，BD743B/C为0.1mA。 - 发射极截止电流（IEBO）：0.5mA。 - DC电流增益（hFE）：在不同集电极电流下有不同的典型值。

6. 应用信息： - 适用于功率线性和开关应用。

7. 封装信息： - 封装类型为TO-220C，PDF中提供了封装的简化外形图和符号。

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