BD745B

厂商：
ISC(固电半导体)
封装：
描述：
BD745B - Silicon NPN Power Transistors - Inchange Semiconductor Company Limited

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Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-3PN package ·Complement to type BD746/A/B/C ·High current capability ·High power dissipation APPLICATIONS ·For use in power linear and switching applications PINNING PIN 1 2 3 Base Collector;connected to mounting base Emitter DESCRIPTION BD745/A/B/C · Fig.1 simplified outline (TO-3PN) and symbol Absolute maximum ratings (Ta=25℃) SYMBOL PARAMETER BD745 BD745A VCBO Collector-base voltage BD745B BD745C BD745 BD745A VCEO Collector-emitter voltage BD745B BD745C VEBO IC ICM IB PC Tj Tstg Emitter-base voltage Collector current Collector current-peak Base current TC=25℃ Collector power dissipation Ta=25℃ Junction temperature Storage temperature 3.5 150 -65~150 ℃ ℃ Open collector Open base 80 100 5 20 25 7 115 W V A A A Open emitter 90 110 45 60 V CONDITIONS VALUE 50 70 V UNIT Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER BD745 Collector-emitter breakdown voltage BD745A IC=30mA; IB=0 BD745B BD745C VCEsat-1 VCEsat-2 VBE -1 VBE -2 Collector-emitter saturation voltage Collector-emitter saturation voltage Base-emitter on voltage Base-emitter on voltage BD745/A ICEO Collector cut-off current BD745B/C BD745 BD745A ICBO Collector cut-off current BD745B BD745C IEBO hFE-1 hFE-2 hFE-3 Emitter cut-off current DC current gain DC current gain DC current gain VCE=60V; IB=0 VCE=50V; VBE=0 TC=125℃ VCE=70V; VBE=0 TC=125℃ VCE=90V; VBE=0 TC=125℃ VCE=110V; VBE=0 TC=125℃ VEB=5V; IC=0 IC=1A ; VCE=4V IC=5A ; VCE=4V IC=20A ; VCE=4V 40 20 5 IC=5 A;IB=0.5 A IC=20 A;IB=5 A IC=5A ; VCE=4V IC=20A ; VCE=4V VCE=30V; IB=0 80 100 CONDITIONS MIN 45 60 BD745/A/B/C TYP. MAX UNIT V(BR)CEO V 1.0 3.0 1.0 3.0 V V V V 0.1 0.1 5.0 0.1 5.0 0.1 5.0 0.1 5.0 0.5 mA mA mA 150 Switching times resistive load td tr ts tf Delay time Rise time Storage time Fall time IC=5 A;IB1=-IB2=0.5 A VBE(off)=-4.2V; RL=6Ω tp=20μs 0.02 0.35 0.5 0.4 μs μs μs μs THERMAL CHARACTERISTICS SYMBOL Rth j-c PARAMETER Thermal resistance junction to case 2 MAX 1.1 UNIT ℃/W Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors PACKAGE OUTLINE BD745/A/B/C Fig.2 Outline dimensions (unindicated tolerance:±0.10 mm) 3

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BD745B

1. 物料型号： - 型号：BD745/A/B/C

2. 器件简介： - 这些是Inchange Semiconductor生产的硅NPN功率晶体管，具有高电流能力和高功耗能力，封装形式为TO-3PN，是BD746/A/B/C的补充。适用于功率线性和开关应用。

3. 引脚分配： - 1号引脚：基极（Base） - 2号引脚：集电极，连接到安装底座（Collector; connected to mounting base） - 3号引脚：发射极（Emitter）

4. 参数特性： - 集电极-基极电压（VCBO）：BD745为50V，BD745A为70V，BD745B为90V，BD745C为110V。 - 集电极-发射极电压（VCEO）：BD745为45V，BD745A为60V，BD745B为80V，BD745C为100V。 - 发射极-基极电压（VEBO）：5V。 - 集电极电流（Ic）：20A。 - 集电极峰值电流（IcM）：25A。 - 基极电流（IB）：7A。 - 集电极功耗（Pc）：在Tc=25°C时为115W，在Ta=25°C时为3.5W。 - 结温（Tj）：150°C。 - 存储温度（Tstg）：-65至150°C。

5. 功能详解： - 该晶体管在Tj=25°C的标准条件下的特性，包括击穿电压、饱和电压、开启电压、截止电流等参数，并提供了不同工作条件下的最小值、典型值和最大值。

6. 应用信息： - 适用于功率线性和开关应用。

7. 封装信息： - 提供了TO-3PN封装的外形尺寸图，未标明的公差为±0.10mm。

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