BD750A

厂商：
ISC(固电半导体)
封装：
描述：
BD750A - isc Silicon PNP Power Transistors - Inchange Semiconductor Company Limited

数据手册：

下载BD750A.pdf

立即购买

详情介绍
数据手册
价格&库存

BD750A 数据手册

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon PNP Power Transistors BD750/750A DESCRIPTION · Collector-Emitter Sustaining Voltage: VCEO(SUS) = -90V(Min)- BD750 = -120V(Min)- BD750A ·High Power Dissipation ·Complement to Type BD751/751A APPLICATIONS ·Designed for high voltage and high power amplifier applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃) SYMBOL PARAMETER BD750 VCEV Collector-Emitter Voltage BD750A BD750 VCEO(SUS) Collector-Emitter Voltage BD750A VEBO IC IB B VALUE -100 UNIT V -130 -90 V -120 -7 -20 -5 200 200 -65~200 V A A W ℃ ℃ Emitter-Base Voltage Collector Current-Continuous Base Current-Continuous Collector Power Dissipation@TC=25℃ Junction Temperature Storage Temperature PC TJ Tstg THERMAL CHARACTERISTICS SYMBOL Rth j-c PARAMETER Thermal Resistance,Junction to Case MAX 0.875 UNIT ℃/W isc Website：www.iscsemi.cn INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon PNP Power Transistors ELECTRICAL CHARACTERISTICS TC=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER BD750 IC= -100mA ; IB= 0 BD750A BD750 BD750A BD750 BD750A BD750 BD750A IEBO Emitter Cutoff Current BD750 hFE DC Current Gain BD750A fT Current-Gain—Bandwidth Product IC= -5A ; VCE= -2V IC= -0.5A ;VCE= -10V; ftest= 1MHz 25 4 IC= -7.5A; IB= -0.75A B BD750/750A CONDITIONS MIN -90 TYP. MAX UNIT VCEO(SUS) Collector-Emitter Sustaining Voltage V -120 -1.5 V -1.0 -1.8 V -1.8 -0.5 mA -0.5 -1.0 15 60 100 MHz mA VCE(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage IC= -5A; IB= -0.5A B VBE(sat) Base-Emitter Saturation Voltage IC= -7.5A; IB= -0.75A B IC= -5A; IB= -0.5A B ICEV Collector Cutoff Current VCEV= -100V;VBE(off)= -1.5V VCEV= -130V;VBE(off)= -1.5V VEB= -7V; IC=0 IC= -7.5A ; VCE= -2V isc Website：www.iscsemi.cn 2

下载 PDF

BD750A

1. 物料型号： - BD750/750A是INCHANGE Semiconductor生产的硅PNP功率晶体管。

2. 器件简介： - BD750/750A具有高功率耗散能力，是BD751/751A的补充型号，适用于高电压和高功率放大应用。

3. 引脚分配： - 1. BASE（基极） - 2. EMITTER（发射极） - 3. COLLECTOR（集电极，与外壳相连，TO-3封装）

4. 参数特性： - 集电极-发射极击穿电压（VCEO(SUS)）：BD750为-90V，BD750A为-120V。 - 集电极-发射极电压（VCEV）：BD750为-100V，BD750A为-130V。 - 发射极-基极电压（VEBO）：-7V。 - 集电极电流（Ic）：-20A。 - 基极电流（IB）：-5A。 - 集电极功率耗散（Pc）：200W（在Tc=25°C时）。 - 结温（TJ）：200°C。 - 存储温度（Tstg）：-65~200°C。

5. 功能详解： - 设计用于高电压和高功率放大应用。

6. 应用信息： - 适用于高电压和高功率放大应用。

7. 封装信息： - 封装类型为TO-3，具体尺寸参数如下： - A：39.00mm - B：25.30mm至26.67mm - C：7.80mm至8.30mm - D：0.90mm至1.10mm - E：1.40mm至1.60mm - G：10.92mm - H：5.46mm - K：11.40mm至13.50mm - L：16.75mm至17.05mm - N：19.40mm至19.62mm - Q：4.00mm至4.20mm - U：30.00mm至30.20mm - V：4.30mm至4.50mm

BD750A 价格&库存

-> 查询更多价格&库存

很抱歉，暂时无法提供与“BD750A”相匹配的价格&库存，您可以联系我们找货

免费人工找货

搜索历史

BD750A

相关技术文章