1. 物料型号：
- BD751B/751C是由INCHANGE Semiconductor生产的NPN型功率晶体管。
2. 器件简介：
- BD751B/751C具有高功率耗散能力，并且是BD750B/750C的互补型号。BD751B的集电极-发射极维持电压最低为100V，而BD751C则为130V。这两种型号适用于高电压和高功率放大应用。
3. 引脚分配：
- 1. BASE（基极）
- 2. EMITTER（发射极）
- 3. COLLECTOR（集电极，与外壳相连）（TO-3封装）
4. 参数特性：
- 绝对最大额定值：
- BD751B的集电极-发射极电压（VCEO(SUS)）为100V，BD751C为130V。
- 集电极电流（IC）连续最大为20A。
- 基极电流（IB）连续最大为5A。
- 集电极功耗耗散（PC）在25℃时为250W。
- 结温（TJ）最高为200℃。
- 存储温度范围为-65℃至200℃。
- 热特性：
- 从结到外壳的热阻（Rth j-c）最大为0.875℃/W。
5. 功能详解：
- 电气特性（T_C=25℃，除非另有说明）：
- VCEO(SUS)：BD751B为100V，BD751C为130V。
- VcE(sat)：BD751B在Ic=7.5A，IB=0.75A时为1.5V；BD751C在Ic=5A，IB=0.5A时为1.0V。
- VBE(sat)：BD751B和BD751C在Ic=7.5A，IB=0.75A或Ic=5A，IB=0.5A时均为1.8V。
- IcEV：BD751B在VcEV=110V，VBE(of)=1.5V时为0.5mA；BD751C在VcEV=140V，VBE(of)=1.5V时为0.5mA。
- IEBO：在VEB=7V，Ic=0时为1.0mA。
- hFE：BD751B在Ic=7.5A，VcE=2V时为15至60；BD751C在Ic=5A，VcE=2V时为25至100。
- fr：在Ic=0.5A，VcE=10V，ftest=1MHz时为4MHz。
6. 应用信息：
- 设计用于高电压和高功率放大应用。
7. 封装信息：
- 采用TO-3封装，具体尺寸参数如下：
- B（基极引脚直径）：25.30至26.67毫米。
- D（集电极引脚直径）：7.80至8.30毫米。
- G（发射极引脚直径）：1.40至1.60毫米。
- H（集电极引脚高度）：11.40至13.50毫米。
- U（基极引脚高度）：30.00至30.20毫米。
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