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BD787

BD787

  • 厂商:

    ISC(固电半导体)

  • 封装:

  • 描述:

    BD787 - isc Silicon NPN Power Transistor - Inchange Semiconductor Company Limited

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
BD787 数据手册
INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor BD787 DESCRIPTION ·DC Current Gain: hFE= 40~250(Min)@ IC= 0.2A ·Collector-Emitter Sustaining Voltage : VCEO(SUS)= 60V(Min) ·Complement to type BD788 APPLICATIONS ·Designed for low power audio amplifier and low current, high-speed switching applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃) SYMBOL VCBO VCEO VEBO IC ICM IB B PARAMETER Collector-Base Voltage Collector-Emitter Voltage Emitter-Base Voltage Collector Current-Continuous Collector Current-Peak Base Current-Continuous Collector Power Dissipation @ TC=25℃ Junction Temperature Storage Temperature Range VALUE 80 60 6 4 8 1 15 150 -65~150 UNIT V V V A A A W ℃ ℃ PC TJ Tstg THERMAL CHARACTERISTICS SYMBOL Rth j-c PARAMETER Thermal Resistance,Junction to Case MAX 8.34 UNIT ℃/W isc Website:www.iscsemi.cn INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor ELECTRICAL CHARACTERISTICS TC=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP. BD787 MAX UNIT VCEO(SUS) Collector-Emitter Sustaining Voltage IC= 10mA; IB= 0 60 V VCE(sat)-1 Collector-Emitter Saturation Voltage IC= 0.5A; IB= 50mA 0.4 V VCE(sat)-2 Collector-Emitter Saturation Voltage IC= 1A; IB= 0.1A B 0.6 V VCE(sat)-3 Collector-Emitter Saturation Voltage IC= 2A; IB= 0.2A B 0.8 V VCE(sat)-4 Collector-Emitter Saturation Voltage IC= 4A; IB= 0.8A B 2.5 V VBE(sat) Base-Emitter Saturation Voltage IC= 2A; IB= 0.2A B 2.0 V VBE(on) ICEX Base-Emitter On Voltage IC= 2A; VCE= 3V VCB= 80V;VBE(off)= 1.5V VCB= 40V;VBE(off)= 1.5V;TC=125℃ VCE= 30V; IB= 0 B 1.8 1.0 0.1 0.1 V μA mA mA μA Collector Cutoff Current ICEO Collector Cutoff Current IEBO Emitter Cutoff Current VEB= 6V; IC= 0 1.0 hFE-1 DC Current Gain IC= 0.2A; VCE= 3V 40 250 hFE-2 DC Current Gain IC= 1A; VCE= 3V 25 hFE-3 DC Current Gain IC= 2A; VCE= 3V 20 hFE-4 DC Current Gain IC= 4A; VCE= 3V 5 fT Current-Gain—Bandwidth Product IC= 0.1A; VCE= 10V 50 MHz COB Collector Output Capacitance IE= 0; VCB= 10V; f= 0.1MHz 50 pF isc Website:www.iscsemi.cn 2
BD787
1. 物料型号: - 型号:BD787

2. 器件简介: - BD787是一种NPN硅功率晶体管,用于低功耗音频放大器和低电流、高速开关应用。

3. 引脚分配: - PIN 1: 发射极(EMITTER) - PIN 2: 集电极(COLLECTOR) - PIN 3: 基极(BASE)

4. 参数特性: - DC电流增益(hFE):最小值40至最大值250,@ Ic=0.2 A - 集电极-发射极维持电压(VCEO(SUS)):最小值60 V - 与BD788型号互补 - 绝对最大额定值: - VCBO(集电极-基极电压):80 V - VCEO(集电极-发射极电压):60 V - VEBO(发射极-基极电压):6 V - Ic(集电极连续电流):4 A - ICM(集电极峰值电流):8 A - Pc(集电极功率耗散,Tc=25°C):15 W - TJ(结温):150°C - Tstg(存储温度范围):-65~150°C

5. 功能详解: - 该晶体管设计用于低功耗音频放大和低电流高速开关应用。 - 电气特性表提供了在不同条件下的最小、典型和最大值,包括集电极-发射极维持电压、集电极-发射极饱和电压、基极-发射极饱和电压、基极-发射极导通电压、集电极截止电流、发射极截止电流和直流电流增益等参数。

6. 应用信息: - 适用于低功率音频放大器和低电流、高速开关应用。

7. 封装信息: - 封装类型为TO-126,具体尺寸参数如下: - A: 10.70-10.90 mm - B: 7.70-7.90 mm - C: 2.60-2.80 mm - D: 0.66-0.86 mm - F: 3.10-3.30 mm - G: 4.48-4.68 mm - H: 2.00-2.20 mm - J: 1.35-1.55 mm - K: 16.10-16.30 mm - Q: 3.70-3.90 mm - R: 0.40-0.60 mm - V: 1.17-1.37 mm
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