BD808

厂商：
ISC(固电半导体)
封装：
描述：
BD808 - isc Silicon PNP Power Transistor - Inchange Semiconductor Company Limited

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BD808 数据手册

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon PNP Power Transistor BD808 DESCRIPTION ·DC Current Gain : hFE =30@ IC= -2A ·Collector-Emitter Sustaining Voltage: VCEO(SUS)= -60V(Min) ·Complement to Type BD807 APPLICATIONS ·Designed for use in high power audio amplifiers utilizing complementary or quasi complementary circuits. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃) SYMBOL VCBO VCEO VEBO IC IB B PARAMETER Collector-Base Voltage Collector-Emitter Voltage Emitter-Base Voltage Collector Current-Continuous Base Current Collector Power Dissipation @ TC=25℃ Junction Temperature Storage Temperature Range VALUE -70 -60 -5 -10 -6 90 150 -55~150 UNIT V V V A A W ℃ ℃ PC TJ Tstg THERMAL CHARACTERISTICS SYMBOL Rth j-c PARAMETER Thermal Resistance, Junction to Case MAX 1.39 UNIT ℃/W isc Website：www.iscsemi.cn INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon PNP Power Transistor ELECTRICAL CHARACTERISTICS TC=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN BD808 MAX UNIT VCEO(SUS) Collector-Emitter Sustaining Voltage IC= -200mA ;IB= 0 -60 V VCE(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage IC= -4A; IB= -0.4A B -1.1 V VBE(on) Base-Emitter On Voltage IC= -4A ; VCE= -2V -1.6 V ICBO Collector Cutoff Current VCB= -70V; IE= 0 -1.0 mA IEBO Emitter Cutoff Current VEB= -5V; IC= 0 -2.0 mA hFE-1 DC Current Gain IC= -2A ; VCE= -2V 30 hFE-2 DC Current Gain IC= -4A ; VCE= -2V 15 fT Current-Gain—Bandwidth Product IC= -1.0A ; VCE= -10V; ftest= 1.0MHz 1.5 MHz isc Website：www.iscsemi.cn 2

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BD808

1. 物料型号： - 型号：BD808 - 制造商：INCHANGE Semiconductor

2. 器件简介： - BD808是一个硅PNP功率晶体管，具有以下特点： - DC电流增益：hFE=30 @ IC=-2A - 集电极-发射极维持电压：VCEO(SUS)=-60V（最小值） - 与BD807型号互补

3. 引脚分配： - PIN 1: BASE（基极） - PIN 2: COLLECTOR（集电极） - PIN 3: EMITTER（发射极） - 封装类型：TO-220C

4. 参数特性： - 绝对最大额定值： - VCBO（集电极-基极电压）：-70V - VCEO（集电极-发射极电压）：-60V - VEBO（发射极-基极电压）：-5V - Ic（集电极连续电流）：-10A - IB（基极电流）：-6A - Pc（集电极功率耗散@Tc=25°C）：90W - TJ（结温）：150°C - Tstg（存储温度范围）：-55~150°C

5. 功能详解： - 设计用于在互补或准互补电路中使用的高功率音频放大器中。 - 电气特性（Tc=25°C，除非另有说明）： - VCEO(SUS)：集电极-发射极维持电压 - VCE(sat)：集电极-发射极饱和电压 - VBE(on)：基极-发射极导通电压 - ICBO：集电极截止电流 - IEBO：发射极截止电流 - hFE：直流电流增益 - fr：电流增益-带宽积

6. 应用信息： - 用于高功率音频放大器，采用互补或准互补电路。

7. 封装信息： - 封装类型：TO-220C - 封装尺寸参数（单位：mm）： - A: 15.70-15.90 - B: 9.90-10.10 - C: 4.20-4.40 - D: 0.70-0.90 - F: 3.40-3.60 - G: 4.98-5.18 - H: 2.70-2.90 - J: 0.44-0.46 - K: 13.20-13.40 - L: 1.10-1.30 - Q: 2.70-2.90 - R: 2.50-2.70 - S: 1.29-1.31 - U: 6.45-6.65 - V: 8.66-8.86

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