BD897A

厂商：
ISC(固电半导体)
封装：
描述：
BD897A - Silicon NPN Power Transistors - Inchange Semiconductor Company Limited

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Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ・With TO-220C package ・Complement to type BD896A/898A/900A ・DARLINGTON APPLICATIONS ・For use in output stages in audio equipment ,general amplifier,and analogue switching applications PINNING PIN 1 2 3 Base Collector;connected to mounting base Emitter DESCRIPTION BD895A/897A/899A Absolute maximum ratings(Ta=25℃) SYMBOL PARAMETER BD895A VCBO Collector-base voltage BD897A BD899A BD895A VCEO Collector-emitter voltage BD897A BD899A VEBO IC IB Emitter-base voltage Collector current-DC Base current TC=25℃ PT Total power dissipation Ta=25℃ Tj Tstg Junction temperature Storage temperature 2 150 -65~150 ℃ ℃ Open collector Open base Open emitter CONDITIONS VALUE 45 60 80 45 60 80 5 8 300 70 W V A mA V V UNIT Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER BD895A V(BR)CEO Collector-emitter breakdown voltage BD897A BD899A VCEsat VBE Collector-emitter saturation voltage Base-emitter on voltage BD895A ICBO Collector cut-off current BD897A BD899A BD895A ICEO Collector cut-off current BD897A BD899A IEBO hFE VEC ton toff Emitter cut-off current DC current gain Diode forward voltage Turn-on time Turn-off time IC=4A ,IB=16mA IC=4A ; VCE=3V VCB=45V, IE=0 TC=100℃ VCB=60V, IE=0 TC=100℃ VCB=80V, IE=0 TC=100℃ VCE=30V, IB=0 VCE=30V, IB=0 VCE=40V, IB=0 VEB=5V; IC=0 IC=4A ; VCE=3V IE=8A IC=100mA, IB=0 CONDITIONS BD895A/897A/899A MIN 45 60 80 TYP. MAX UNIT V 2.8 2.5 0.2 2.0 0.2 2.0 0.2 2.0 V V mA 0.5 mA 2 750 3.5 1 5 mA V μs μs IC=3A ; IB1=-IB2=12mA VBE=-3.5V;RL=10Ω;tp=20μs THERMAL CHARACTERISTICS SYMBOL Rth j-c PARAMETER Thermal resistance junction to case MAX 1.79 UNIT ℃/W 2 Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors PACKAGE OUTLINE BD895A/897A/899A Fig.2 Outline dimensions 3

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BD897A

1. 物料型号： - BD895A/897A/899A是NPN型硅功率晶体管。

2. 器件简介： - 这些晶体管采用TO-220C封装，是BD896A/898A/900A的补充型号，适用于音频设备输出阶段、通用放大器和模拟开关应用中的达林顿应用。

3. 引脚分配： - PIN 1: Base（基极） - PIN 2: Collector; connected to mounting base（集电极；连接到安装底座） - PIN 3: Emitter（发射极）

4. 参数特性： - 绝对最大额定值（Ta=25°C）： - VCBO（集电极-基极电压）：BD895A为45V，BD897A为60V，BD899A为80V。 - VCEO（集电极-发射极电压）：BD895A为45V，BD897A为60V，BD899A为80V。 - VEBO（发射极-基极电压）：5V。 - Ic（集电极电流-DC）：8A。 - Ib（基极电流）：300mA。 - Pr（总功率耗散）：在Tc=25°C时为70W，Ta=25°C时为2W。 - TJ（结温）：150°C。 - Tstg（储存温度）：-65~150°C。

5. 功能详解： - 特性（Tj=25℃除非另有说明）： - VBE（基极-发射极导通电压）：在Ic=4A; VcE=3V时为2.5V。 - ICBO（集电极截止电流）：BD895A在VCB=45V, IE=0, Tc=100°C时为0.2~2.0mA，BD897A和BD899A类似。 - ICEO（集电极截止电流）：BD895A在VcE=30V, IB=0时为0.5mA，BD897A和BD899A类似。 - ton（导通时间）：在Ic=3A; IB1=-18, 2=12mA, VBE=-3.5V, RL=10, t=20μs时为1μs。 - toff（关断时间）：5μs。

6. 应用信息： - 适用于音频设备输出阶段、通用放大器和模拟开关应用。

7. 封装信息： - 采用TO-220C封装，具体外形尺寸见图2。

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