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BD938

BD938

  • 厂商:

    ISC(固电半导体)

  • 封装:

  • 描述:

    BD938 - isc Silicon PNP Power Transistor - Inchange Semiconductor Company Limited

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
BD938 数据手册
INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION ·DC Current Gain: hFE= 40(Min)@ IC= -150mA ·Complement to Type BD933/935/937/939/941 APPLICATIONS ·Designed for use in output stages of audio and television amplifier circuits where high peak powers can occur. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃) SYMBOL PARAMETER BD934 BD936 VCBO Collector-Base Voltage BD938 BD940 BD942 BD934 BD936 VCEO Collector-Emitter Voltage BD938 BD940 BD942 VEBO IC ICM IB B BD934/936/938/940/942 VALUE -45 -60 -100 -120 -140 -45 -60 -80 -100 -120 -5 -3 -7 -0.5 30 150 -65~150 UNIT V V Emitter-Base Voltage Collector Current-Continuous Collector Current-Peak Base Current-Continuous Collector Power Dissipation @ TC=25℃ Junction Temperature Storage Temperature Range V A A A W ℃ ℃ PC TJ Tstg THERMAL CHARACTERISTICS SYMBOL Rth j-c Rth j-a PARAMETER Thermal Resistance,Junction to Case Thermal Resistance,Junction to Ambient MAX 4.17 70 UNIT ℃/W ℃/W isc Website:www.iscsemi.cn INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon PNP Power Transistor ELECTRICAL CHARACTERISTICS TC=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER BD934 BD936 VCEO(SUS) Collector-Emitter Sustaining Voltage BD938 BD940 BD942 VCE(sat) VBE(on) ICBO ICEO IEBO hFE-1 hFE-2 fT Collector-Emitter Saturation Voltage Base-Emitter On Voltage Collector Cutoff Current Collector Cutoff Current Emitter Cutoff Current DC Current Gain DC Current Gain Current-Gain—Bandwidth Product IC= -1A; IB= -0.1A B BD934/936/938/940/942 CONDITIONS MIN -45 -60 TYP. MAX UNIT IC= -100mA ; IB= 0 -80 -100 -120 -0.6 -1.3 -0.05 -1 -0.1 -0.2 40 25 3 250 V V V mA mA mA IC= -1A; VCE= -2V VCB= VCBOmax; IE= 0 VCB= VCBOmax; IE= 0,TJ=150℃ VCE= VCEOmax; IB= 0 VEB= -5V; IC= 0 IC= -150mA ; VCE= -2V IC= -1A ; VCE= -2V IC= -250mA ; VCE= -10V MHz Switching Times ton toff Turn-On Time IC= -1.0A; IB1= -IB2= -0.1A Turn-Off Time 0.7 2.4 μs 0.2 0.6 μs isc Website:www.iscsemi.cn 2
BD938
物料型号: - BD934/936/938/940/942

器件简介: - 这些是PNP型硅功率晶体管,设计用于音频和电视放大器电路的输出阶段,可以承受高峰值功率。

引脚分配: - PIN 1: 基极(BASE) - PIN 2: 集电极(COLLECTOR) - PIN 3: 发射极(EMITTER)

参数特性: - 最大额定值: - 集电极-基极电压(VCBO):BD934为-45V,BD936为-60V,BD938为-100V,BD940为-120V,BD942为-140V。 - 集电极-发射极电压(VCEO):BD934为-45V,BD936为-60V,BD938为-80V,BD940为-100V,BD942为-120V。 - 发射极-基极电压(VEBO):-5V。 - 集电极电流(IC):连续-3A,峰值-7A。 - 基极电流(IB):连续-0.5A。 - 集电极功耗耗散在25℃时为30W。 - 结温(TJ):150℃。 - 存储温度范围:-65~150℃。 - 热特性: - 结到外壳热阻(Rth j-c):4.17℃/W。 - 结到环境热阻(Rth j-a):70℃/W。 - 电气特性(T_C=25℃除非另有说明): - 集电极-发射极维持电压(VCEO(SUS)):BD934为-45V,BD936为-60V,BD938为-80V,BD940为-100V,BD942为-120V。 - 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):-0.6V。 - 基极-发射极导通电压(VBE(on)):-1.3V。 - 集电极截止电流(ICBO):-0.05到-1mA。 - 发射极截止电流(IEBO):-0.2mA。 - DC电流增益(hFE-1):40(最小值)。 - DC电流增益(hFE-2):25。 - 电流增益-带宽积(fT):3MHz。

功能详解: - 这些晶体管适用于需要承受高功率峰值的音频和电视放大器电路输出阶段,具有较高的集电极-发射极电压和集电极电流承受能力。

应用信息: - 用于音频和电视放大器电路的输出阶段。

封装信息: - TO-220C封装,具体的封装尺寸参数如下: - A:15.70~15.90mm - B/C:9.90~10.10mm(B)/4.20~4.40mm(C) - D/F/G:0.70~4.98mm(D)/0.90~3.60mm(F)/3.40~5.18mm(G) - H/J:2.70~2.90mm(H)/0.44~0.46mm(J) - K:13.20~13.40mm - Q:1.10~2.90mm(Q)/1.30mm(S) - R/S:2.50~2.70mm(R) - U:6.45~6.65mm - V:8.66~8.86mm
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