BD939F

厂商：
ISC(固电半导体)
封装：
描述：
BD939F - isc Silicon NPN Power Transistor - Inchange Semiconductor Company Limited

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INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor BD933F/935F/937F/939F/941F DESCRIPTION ·DC Current Gain: hFE= 40(Min)@ IC= 150mA ·Complement to Type BD934F/936F/938F/940F/942F APPLICATIONS ·Designed for use in output stages of audio and television amplifier circuits where high peak powers can occur. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃) SYMBOL PARAMETER BD933F BD935F VCBO Collector-Base Voltage BD937F BD939F BD941F BD933F BD935F VCEO Collector-Emitter Voltage BD937F BD939F BD941F VEBO IC ICM IB B VALUE 45 60 100 120 140 45 60 80 100 120 5 3 7 0.5 19 150 -65~150 UNIT V V Emitter-Base Voltage Collector Current-Continuous Collector Current-Peak Base Current-Continuous Collector Power Dissipation @ TC=25℃ Junction Temperature Storage Temperature Range V A A A W ℃ ℃ PC TJ Tstg THERMAL CHARACTERISTICS SYMBOL Rth j-c Rth j-a PARAMETER Thermal Resistance,Junction to Case Thermal Resistance,Junction to Ambient MAX 4.17 55 UNIT ℃/W ℃/W isc Website：www.iscsemi.cn INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor ELECTRICAL CHARACTERISTICS TC=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER BD933F BD935F VCEO(SUS) Collector-Emitter Sustaining Voltage BD937F BD939F BD941F VCE(sat) VBE(on) ICBO ICEO IEBO hFE-1 hFE-2 fT Collector-Emitter Saturation Voltage Base-Emitter On Voltage Collector Cutoff Current Collector Cutoff Current Emitter Cutoff Current DC Current Gain DC Current Gain Current-Gain—Bandwidth Product BD933F/935F/937F/939F/941F CONDITIONS MIN 45 60 TYP. MAX UNIT IC= 100mA ; IB= 0 80 100 120 V IC= 1A; IB= 0.1A B 0.6 1.3 0.1 3.0 0.5 1.0 40 25 3 250 V V mA mA mA IC= 1A; VCE= 2V VCB= VCBOmax; IE= 0 VCB= VCBOmax; IE= 0,TJ=150℃ VCE= VCEOmax; IB= 0 VEB= 5V; IC= 0 IC= 150mA ; VCE= 2V IC= 1A ; VCE= 2V IC= 250mA ; VCE= 10V MHz Switching Times ton toff Turn-On Time IC= 1.0A; IB1= -IB2= 0.1A Turn-Off Time 1.5 3.0 μs 0.4 1.0 μs isc Website：www.iscsemi.cn 2

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BD939F

1. 物料型号： - BD933F/935F/937F/939F/941F

2. 器件简介： - 这些是NPN型功率晶体管，直流电流增益最小值为40（在集电极电流150mA时），与BD934F/936F/938F/940F/942F型号互补。

3. 引脚分配： - 引脚1：基极（BASE） - 引脚2：集电极（COLLECTOR） - 引脚3：发射极（EMITTER）

4. 参数特性： - 集电极-基极电压（VCBO）：BD933F为45V，BD935F为60V，BD937F为100V，BD939F为120V，BD941F为140V。 - 集电极-发射极电压（VCEO）：BD933F为45V，BD935F为60V，BD937F为80V，BD939F为100V，BD941F为120V。 - 发射极-基极电压（VEBO）：5V。 - 集电极电流-连续（Ic）：3A。 - 集电极电流-峰值（IcM）：7A。 - 基极电流-连续（IB）：0.5A。 - 集电极功率耗散@Tc=25°C（Pc）：19W。 - 结温（TJ）：150°C。 - 存储温度范围（Tstg）：-65~150°C。

5. 功能详解和应用信息： - 设计用于音频和电视放大器电路的输出阶段，这些电路可能会发生高峰值功率。

6. 封装信息： - TO-220Fa封装，具体尺寸参数如下： - A: 16.85mm至17.15mm - B: 9.90mm至10.10mm - C: 4.35mm至4.65mm - D: 0.75mm至0.80mm - F: 3.20mm至3.40mm - G: 6.90mm至7.10mm - H: 5.15mm至5.45mm - J: 0.45mm至0.75mm - K: 13.35mm至13.65mm - L: 1.10mm至1.30mm - N: 4.98mm至5.18mm - Q: 4.85mm至5.15mm - R: 2.95mm至3.25mm - S: 2.70mm至2.90mm - U: 1.75mm至2.05mm - V: 1.30mm至1.50mm

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