BD954F

厂商：
ISC(固电半导体)
封装：
描述：
BD954F - isc Silicon PNP Power Transistor - Inchange Semiconductor Company Limited

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INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon PNP Power Transistor BD950F/952F/954F/956F DESCRIPTION ·DC Current Gain: hFE= 40(Min)@ IC= -500mA ·Complement to Type BD949F/951F/953F/955F APPLICATIONS ·Designed for power amplifier and switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃) SYMBOL PARAMETER BD950F BD952F VCBO Collector-Base Voltage BD954F BD956F BD950F BD952F VCEO Collector-Emitter Voltage BD954F BD956F VEBO IC ICM PC TJ Tstg Emitter-Base Voltage Collector Current-Continuous Collector Current-Peak Collector Power Dissipation @ TC=25℃ Junction Temperature Storage Temperature Range -100 -120 -5 -5 -8 22 150 -65~150 V A A W ℃ ℃ -100 -120 -60 -80 V VALUE -60 -80 V UNIT THERMAL CHARACTERISTICS SYMBOL Rth j-c PARAMETER Thermal Resistance,Junction to Case MAX 8.12 UNIT ℃/W isc Website：www.iscsemi.cn INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon PNP Power Transistor ELECTRICAL CHARACTERISTICS TC=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER BD950F BD952F IC= -100mA ; IB= 0 BD954F BD956F VCE(sat) VBE(on) ICBO ICEO IEBO hFE-1 hFE-2 fT Collector-Emitter Saturation Voltage Base-Emitter On Voltage Collector Cutoff Current Collector Cutoff Current Emitter Cutoff Current DC Current Gain DC Current Gain Current-Gain—Bandwidth Product IC= -2A; IB= -0.2A B BD950F/952F/954F/956F CONDITIONS MIN -60 -80 TYP. MAX UNIT VCEO(SUS) Collector-Emitter Sustaining Voltage V -100 -120 -1.0 -1.4 -0.05 -1 -0.1 -0.2 40 20 3 MHz V V mA mA mA IC= -2A; VCE= -4V VCB= VCBOmax; IE= 0 1 VCB= /2VCBOmax; IE= 0,TJ=150℃ VCE= 1/2VCEOmax; IB= 0 VEB= -5V; IC= 0 IC= -500mA ; VCE= -4V IC= -2A ; VCE= -4V IC= -500mA ; VCE= -4V Switching Times ton toff Turn-On Time IC= -1.0A; IB1= -IB2= -0.1A Turn-Off Time 1.5 μs 0.3 μs isc Website：www.iscsemi.cn 2

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BD954F

1. 物料型号： - BD950F/952F/954F/956F

2. 器件简介： - 这些是硅PNP功率晶体管，具有最小直流电流增益hFE为40，适用于功率放大和开关应用。

3. 引脚分配： - PIN 1: BASE（基极） - PIN 2: COLLECTOR（集电极） - PIN 3: EMITTER（发射极）

4. 参数特性： - 集电极-基极电压（VCBO）：BD950F为-60V，BD952F为-80V，BD954F为-100V，BD956F为-120V。 - 集电极-发射极电压（VCEO）：同上。 - 发射极-基极电压（VEBO）：-5V。 - 连续集电极电流（Ic）：-5A。 - 峰值集电极电流（IcM）：-8A。 - 集电极功耗耗散（Pc）：22W。 - 结温（TJ）：150°C。 - 存储温度范围（Tstg）：-65~150°C。

5. 功能详解： - 设计用于功率放大和开关应用，具有不同的电压和电流规格，以适应不同的工作条件。

6. 应用信息： - 适用于功率放大和开关应用，封装为TO-220F。

7. 封装信息： - 封装类型为TO-220F，具体的封装尺寸参数如下： - A: 16.85mm至17.15mm - B: 9.90mm至10.10mm - C: 4.35mm至4.65mm - D: 0.75mm至0.80mm - F: 3.20mm至3.40mm - G: 6.90mm至7.10mm - H: 5.15mm至5.45mm - J: 0.45mm至0.75mm - K: 13.35mm至13.65mm - N: 4.98mm至5.18mm - Q: 4.85mm至5.15mm - R: 2.95mm至3.25mm - S: 2.70mm至2.90mm - U: 1.75mm至2.05mm - V: 1.30mm至1.50mm

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