BDT29B

厂商：
ISC(固电半导体)
封装：
描述：
BDT29B - isc Silicon NPN Power Transistors - Inchange Semiconductor Company Limited

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INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·DC Current Gain -hFE = 40(Min)@ IC= 0.4A ·Collector-Emitter Sustaining Voltage: VCEO(SUS) = 40V(Min)- BDT29; 60V(Min)- BDT29A 80V(Min)- BDT29B; 100V(Min)- BDT29C ·Complement to Type BDT30/A/B/C APPLICATIONS ·Designed for use in output stages of audio and television amplifier circuits where high peak powers can occur. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃) SYMBOL PARAMETER BDT29 BDT29A VCBO Collector-Base Voltage BDT29B BDT29C BDT29 BDT29A VCEO Collector-Emitter Voltage BDT29B BDT29C VEBO IC ICM IB B BDT29/A/B/C VALUE 80 100 UNIT V 120 140 40 60 V 80 100 5 1 3 0.4 30 150 -65~150 V A A A W ℃ ℃ Emitter-Base Voltage Collector Current-Continuous Collector Current-Peak Base Current Collector Power Dissipation TC=25℃ Junction Temperature Storage Ttemperature Range PC Tj Tstg THERMAL CHARACTERISTICS SYMBOL Rth j-c Rth j-a PARAMETER Thermal Resistance,Junction to Case Thermal Resistance,Junction to Ambient MAX 4.17 70 UNIT ℃/W ℃/W isc Website：www.iscsemi.cn INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistors ELECTRICAL CHARACTERISTICS TC=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER BDT29 BDT29A IC= 30mA; IB= 0 BDT29B BDT29C VCE(sat) VBE(on) ICES Collector-Emitter Saturation Voltage Base-Emitter On Voltage Collector Cutoff Current BDT29/A BDT29B/C IC= 1A; IB= 0.125A B BDT29/A/B/C CONDITIONS MIN 40 60 TYP. MAX UNIT VCEO(SUS) Collector-Emitter Sustaining Voltage V 80 100 0.7 1.3 0.2 V V mA IC= 1A ; VCE= 4V VCE= VCEOmax; VBE= 0 VCE= 30V; IB= 0 B ICEO Collector Cutoff Current 0.1 VCE= 60V; IB= 0 B mA IEBO hFE-1 hFE-2 fT Emitter Cutoff Current DC Current Gain DC Current Gain Current-Gain—Bandwidth Product VEB= 5V; IC= 0 IC= 0.2A ; VCE= 4V IC= 1A ; VCE= 4V IC= 0.2A ; VCE= 10V 40 15 3 0.2 mA 75 MHz Switching Times ton toff Turn-On Time IC= 1.0A; IB1= -IB2= 0.1A Turn-Off Time 1.0 μs 0.3 μs isc Website：www.iscsemi.cn

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BDT29B

1. 物料型号： - BDT29/A/B/C

2. 器件简介： - 这些是NPN型功率晶体管，用于音频和电视放大器电路的输出阶段，能够处理高峰值功率。

3. 引脚分配： - PIN1: BASE（基极） - PIN2: COLLECTOR（集电极） - PIN3: EMITTER（发射极）

4. 参数特性： - DC Current Gain（直流电流增益）：最小值为40（在Ic=0.4A时） - Collector-Emitter Sustaining Voltage（集电极-发射极承受电压）：BDT29为40V，BDT29A为60V，BDT29B为80V，BDT29C为100V。 - Collector-Base Voltage（集电极-基极电压）：BDT29为80V，BDT29A为100V，BDT29B为120V，BDT29C为140V。 - Collector-Emitter Voltage（集电极-发射极电压）：BDT29为40V，BDT29A为60V，BDT29B为80V，BDT29C为100V。 - Emitter-Base Voltage（发射极-基极电压）：5V。 - Collector Current-Continuous（集电极连续电流）：1A。 - Collector Current-Peak（集电极峰值电流）：3A。 - Base Current（基极电流）：0.4A。 - Collector Power Dissipation（集电极功率耗散）：30W（在Tc=25°C时）。 - Junction Temperature（结温）：150°C。 - Storage Temperature Range（存储温度范围）：-65°C至150°C。

5. 功能详解： - 这些晶体管设计用于高功率音频和电视放大器电路，能够承受高电流和电压。

6. 应用信息： - 用于音频和电视放大器电路的输出阶段，特别是在可能出现高峰值功率的场合。

7. 封装信息： - TO-220C封装，具体尺寸如下： - A: 15.70mm至15.90mm - B: 9.90mm至10.10mm - C: 4.20mm至4.40mm - D: 0.70mm至0.90mm - F: 3.40mm至3.60mm - G: 4.98mm至5.18mm - H: 2.70mm至2.90mm - J: 0.44mm至0.46mm - K: 13.20mm至13.40mm - L: 1.10mm至1.30mm - Q: 2.70mm至2.90mm - R: 2.50mm至2.70mm - S: 1.29mm至1.31mm - U: 6.45mm至6.65mm - V: 8.66mm至8.86mm

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