0
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心
发布
  • 发文章

  • 发资料

  • 发帖

  • 提问

  • 发视频

创作活动
BDT31AF

BDT31AF

  • 厂商:

    ISC(固电半导体)

  • 封装:

  • 描述:

    BDT31AF - isc Silicon NPN Power Transistors - Inchange Semiconductor Company Limited

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
BDT31AF 数据手册
INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·DC Current Gain -hFE = 25(Min)@ IC= 1.0A ·Collector-Emitter Sustaining Voltage: VCEO(SUS) = 40V(Min)- BDT31F; 60V(Min)- BDT31AF 80V(Min)- BDT31BF; 100V(Min)- BDT31CF 120V(Min)- BDT31DF ·Complement to Type BDT32F/AF/BF/CF/DF APPLICATIONS ·Designed for use in audio amplifier output stages , general purpose amplifier and high speed switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃) SYMBOL PARAMETER BDT31F BDT31AF VCBO Collector-Base Voltage BDT31BF BDT31CF BDT31DF BDT31F BDT31AF VCEO Collector-Emitter Voltage BDT31BF BDT31CF BDT31DF VEBO IC ICM IB B BDT31F/AF/BF/CF/DF VALUE 80 100 120 140 160 40 60 80 100 120 5 3 5 1 22 150 -65~150 UNIT V V Emitter-Base Voltage Collector Current-Continuous Collector Current-Peak Base Current Collector Power Dissipation TC=25℃ Junction Temperature Storage Ttemperature Range V A A A W ℃ ℃ PC Tj Tstg THERMAL CHARACTERISTICS SYMBOL Rth j-c Rth j-a PARAMETER Thermal Resistance,Junction to Case Thermal Resistance,Junction to Ambient MAX 8.12 55 UNIT ℃/W ℃/W isc Website:www.iscsemi.cn INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistors ELECTRICAL CHARACTERISTICS TC=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER BDT31F BDT31AF VCEO(SUS) Collector-Emitter Sustaining Voltage BDT31BF BDT31CF BDT31DF BDT31F/AF/BF/CF VCE(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage BDT31DF IC= 30mA; IB= 0 BDT31F/AF/BF/CF/DF CONDITIONS MIN 40 60 80 100 120 TYP. MAX UNIT V IC= 3A; IB= 0.375A B 1.2 V 2.5 1.8 0.2 V mA IC= 3A; IB= 0.75A B VBE(on) ICES Base-Emitter On Voltage Collector Cutoff Current BDT31F/AF IC= 3A ; VCE= 4V VCE= VCEOmax; VBE= 0 VCE= 30V; IB= 0 B ICEO Collector Cutoff Current BDT31BF/CF BDT31DF VCE= 60V; IB= 0 B 0.1 mA VCE= 90V; IB= 0 B IEBO hFE-1 Emitter Cutoff Current DC Current Gain BDT31F/AF/BF/CF VEB= 5V; IC= 0 IC=1A ; VCE= 4V 25 10 IC= 3A ; VCE= 4V BDT31DF 5 IC= 0.5A ; VCE= 10V 3 0.2 mA 50 hFE-2 DC Current Gain fT Current-Gain—Bandwidth Product MHz Switching Times ton toff Turn-On Time IC= 1.0A; IB1= -IB2= 0.1A Turn-Off Time 1.0 μs 0.3 μs isc Website:www.iscsemi.cn
BDT31AF
1. 物料型号: - 型号为BDT31F/AF/BF/CF/DF,这些是NPN型功率晶体管。

2. 器件简介: - 这些晶体管的直流电流增益最小值为25,适用于音频放大器输出阶段、通用放大器和高速开关应用。

3. 引脚分配: - PIN1:基极(BASE) - PIN2:集电极(COLLECTOR) - PIN3:发射极(EMITTER)

4. 参数特性: - 集电极-发射极维持电压(VCEO(SUS)):BDT31F为40V,BDT31AF为60V,BDT31BF为80V,BDT31CF为100V,BDT31DF为120V。 - 集电极-基极电压(VCBO):BDT31F为80V,BDT31AF为100V,BDT31BF为120V,BDT31CF为140V,BDT31DF为160V。 - 发射极-基极电压(VEBO):5V。 - 集电极电流-连续(Ic):3A。 - 集电极电流-峰值(ICM):5A。 - 基极电流(Is):1A。 - 集电极功耗耗散(Pc):22W。 - 结温(T):150°C。 - 存储温度范围(Tstg):-65~150°C。

5. 功能详解应用信息: - 这些晶体管设计用于音频放大器输出阶段、通用放大器和高速开关应用。

6. 封装信息: - 封装类型为TO-220Fa。 - 提供了详细的封装尺寸参数,包括最小值和最大值。
BDT31AF 价格&库存

很抱歉,暂时无法提供与“BDT31AF”相匹配的价格&库存,您可以联系我们找货

免费人工找货