BDT32F

厂商：
ISC(固电半导体)
封装：
描述：
BDT32F - isc Silicon PNP Power Transistors - Inchange Semiconductor Company Limited

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BDT32F 数据手册

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ·DC Current Gain -hFE = 25(Min)@ IC= -1.0A ·Collector-Emitter Sustaining Voltage: VCEO(SUS) = -40V(Min)- BDT32F; -60V(Min)- BDT32AF -80V(Min)- BDT32BF; -100V(Min)- BDT32CF -120V(Min)- BDT32DF ·Complement to Type BDT31F/AF/BF/CF/DF APPLICATIONS ·Designed for use in audio amplifier output stages , general purpose amplifier and high speed switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃) SYMBOL PARAMETER BDT32F BDT32AF VCBO Collector-Base Voltage BDT32BF BDT32CF BDT32DF BDT32F BDT32AF VCEO Collector-Emitter Voltage BDT32BF BDT32CF BDT32DF VEBO IC ICM IB B BDT32F/AF/BF/CF/DF VALUE -80 -100 -120 -140 -160 -40 -60 -80 -100 -120 -5 -3 -5 -1 22 150 -65~150 UNIT V V Emitter-Base Voltage Collector Current-Continuous Collector Current-Peak Base Current Collector Power Dissipation TC=25℃ Junction Temperature Storage Ttemperature Range V A A A W ℃ ℃ PC Tj Tstg THERMAL CHARACTERISTICS SYMBOL Rth j-c Rth j-a PARAMETER Thermal Resistance,Junction to Case Thermal Resistance,Junction to Ambient MAX 8.12 55 UNIT ℃/W ℃/W isc Website：www.iscsemi.cn INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon PNP Power Transistors ELECTRICAL CHARACTERISTICS TC=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER BDT32F BDT32AF VCEO(SUS) Collector-Emitter Sustaining Voltage BDT32BF BDT32CF BDT32DF Collector-Emitter Saturation Voltage BDT32F/AF/BF/CF BDT32DF IC= -30mA; IB= 0 BDT32F/AF/BF/CF/DF CONDITIONS MIN -40 -60 -80 -100 -120 TYP. MAX UNIT V IC= -3A; IB= -0.375A B -1.2 V -2.5 -1.8 -0.2 V mA VCE(sat) IC= -3A; IB= -0.75A B VBE(on) ICES Base-Emitter On Voltage Collector Cutoff Current BDT32F/AF IC= -3A ; VCE= -4V VCE= VCEOmax; VBE= 0 VCE= -30V; IB= 0 B ICEO Collector Cutoff Current BDT32BF/CF BDT32DF VCE= -60V; IB= 0 B -0.1 mA VCE= -90V; IB= 0 B IEBO hFE-1 Emitter Cutoff Current DC Current Gain BDT32F/AF/BF/CF VEB= -5V; IC= 0 IC= -1A ; VCE= -4V 25 10 IC= -3A ; VCE= -4V BDT32DF 5 IC= -0.5A ; VCE= -10V 3 -0.2 mA 50 hFE-2 DC Current Gain fT Current-Gain—Bandwidth Product MHz Switching Times ton toff Turn-On Time IC= -1.0A; IB1= -IB2= -0.1A Turn-Off Time 1.0 μs 0.3 μs isc Website：www.iscsemi.cn

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BDT32F

1. 物料型号： - BDT32F/AF/BF/CF/DF是英集芯（INCHANGE Semiconductor）生产的硅PNP功率晶体管。

2. 器件简介： - 这些晶体管具有不同的集电极-发射极击穿电压（VCEO）和集电极-基极击穿电压（VCBO），适用于音频放大器输出级、通用放大器和高速开关应用。

3. 引脚分配： - 1. 基极（BASE） - 2. 集电极（COLLECTOR） - 3. 发射极（EMITTER）

4. 参数特性： - 直流电流增益（hFE）：最小25（在集电极电流Ic=-1.0A时） - 集电极-发射极击穿电压（VCEO(SUS)）：BDT32F为-40V，BDT32AF为-60V，BDT32BF为-80V，BDT32CF为-100V，BDT32DF为-120V - 集电极-基极击穿电压（VCBO）：BDT32F为-80V，BDT32AF为-100V，BDT32BF为-120V，BDT32CF为-140V，BDT32DF为-160V - 集电极电流（Ic）：连续-3A，峰值-5A - 基极电流（Ib）：-1A - 集电极功耗（Pc）：22W - 结温（Tj）：150°C - 存储温度范围（Tstg）：-65~150°C

5. 功能详解和应用信息： - 这些晶体管设计用于音频放大器输出级、通用放大器和高速开关应用。它们提供不同的电压和电流等级，以满足不同应用的需求。

6. 封装信息： - TO-220Fa封装，具体尺寸参数如下： - A: 16.85-17.15mm - B: 9.90-10.10mm - C: 4.35-4.65mm - D: 0.75-0.80mm - F: 3.20-3.40mm - G: 6.90-7.10mm - H: 5.15-5.45mm - J: 0.45-0.75mm - K: 13.35-13.65mm - L: 1.10-1.30mm - N: 4.98-5.18mm - Q: 4.85-5.15mm - R: 2.95-3.25mm - S: 2.70-2.90mm - U: 1.75-2.05mm - V: 1.30-1.50mm

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