BDT64C

厂商：
ISC(固电半导体)
封装：
描述：
BDT64C - isc Silicon PNP Darlington Power Transistor - Inchange Semiconductor Company Limited

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BDT64C 数据手册

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon PNP Darlington Power Transistor DESCRIPTION ·Collector Current -IC= -12A ·High DC Current Gain-hFE= 1000(Min)@ IC= -5A ·Complement to Type BDT65/A/B/C APPLICATIONS ·Designed for audio output stages and general purpose amplifier applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃) SYMBOL PARAMETER BDT64 Collector-Emitter Voltage BDT64A BDT64B BDT64C BDT64 Collector-Emitter Voltage BDT64A BDT64B BDT64C VEBO IC ICM IB B BDT64/A/B/C VALUE -60 -80 UNIT VCER V -100 -120 -60 -80 V -100 -120 -5 -12 -20 -0.5 125 150 -65~150 V A A A W ℃ ℃ VCEO Emitter-Base Voltage Collector Current-Continuous Collector Current-Peak Base Current-Continuous Collector Power Dissipation @ TC=25℃ Junction Temperature Storage Temperature Range PC TJ Tstg THERMAL CHARACTERISTICS SYMBOL Rth j-c PARAMETER Thermal Resistance, Junction to Case MAX 1 UNIT ℃/W isc Website：www.iscsemi.cn INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon PNP Darlington Power Transistor ELECTRICAL CHARACTERISTICS TC=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER BDT64 BDT64A IC= -30mA ;IB=0 B BDT64/A/B/C CONDITIONS MIN -60 -80 TYP. MAX UNIT V(BR)CEO Collector-Emitter Breakdown Voltage V -100 -120 BDT64B BDT64C VCE(sat)-1 VCE(sat)-2 VBE(on) VECF-1 VECF-2 ICEO ICBO IEBO hFE-1 hFE-2 hFE-3 COB Collector-Emitter Saturation Voltage Collector-Emitter Saturation Voltage Base-Emitter On Voltage C-E Diode Forward Voltage C-E Diode Forward Voltage Collector Cutoff Current Collector Cutoff Current Emitter Cutoff Current DC Current Gain DC Current Gain DC Current Gain Output Capacitance IC= -5A; IB= -20mA B -2.0 -3.0 -2.5 -2.0 -2.0 -0.2 -0.4 -2.0 -5 1500 1000 750 200 V V V V V mA mA mA IC= -10A; IB= -100mA IC= -5A ; VCE= -4V IF= -5A IF= -12A VCE= 1/2VCEOmax; IB= 0 VCB= VCBOmax;IE= 0 VCB= 1/2VCBOmax;IE= 0;TC= 150℃ VEB= -5V; IC=0 IC= -1A ; VCE= -4V IC= -5A ; VCE= -4V IC= -12A ; VCE= -4V IE= 0 ; VCB= -10V; ftest=1MHz pF Switching times ton toff Turn-On Time Turn-Off Time 0.5 2.5 2 5 μs μs IC= -5A; IB1= -IB2= -20mA; VCC= -30V isc Website：www.iscsemi.cn 2

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BDT64C

1. 物料型号： - 型号为BDT64/A/B/C，其中A、B、C代表不同的电压等级。

2. 器件简介： - BDT64/A/B/C是一种PNP达林顿功率晶体管，具有高直流电流增益（最小1000），适用于音频输出级和通用放大器应用。

3. 引脚分配： - PIN 1: BASE（基极） - PIN 2: COLLECTOR（集电极） - PIN 3: EMITTER（发射极） - 封装为TO-220C。

4. 参数特性： - 集电极电流（Ic）：最大连续12A，峰值20A。 - 基极电流（Ib）：最大连续0.5A。 - 集电极功耗（Pc）：在Tc=25°C时为125W。 - 封装最大结温（Tj）：150°C。 - 存储温度范围（Tstg）：-65°C至150°C。

5. 功能详解： - 该晶体管设计用于音频输出级和通用放大器应用，具有高的直流电流增益和大的集电极电流，适合需要高功率和高增益的应用。

6. 应用信息： - 主要应用于音频输出级和通用放大器。

7. 封装信息： - 封装类型为TO-220C，具体的封装尺寸参数如下： - A: 15.70mm至15.90mm - B: 9.90mm至10.10mm - C: 4.20mm至4.40mm - D: 0.70mm至0.90mm - F: 3.40mm至3.60mm - G: 4.98mm至5.18mm - H: 2.70mm至2.90mm - J: 0.44mm至0.46mm - K: 13.20mm至13.40mm - L: 1.10mm至1.30mm - Q: 2.70mm至2.90mm - R: 2.50mm至2.70mm - S: 1.29mm至1.31mm - U: 6.45mm至6.65mm - V: 8.66mm至8.86mm

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