BDW40

厂商：
ISC(固电半导体)
封装：
描述：
BDW40 - isc Silicon NPN Darlington Power Transistor - Inchange Semiconductor Company Limited

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INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Darlington Power Transistor BDW40 DESCRIPTION ·Collector-Emitter Sustaining Voltage: VCEO(SUS)= 60V(Min) ·High DC Current Gain : hFE= 1000(Min) @IC= 5A ·Low Collector Saturation Voltage : VCE(sat)= 2.0V(Max.)@ IC= 5.0A = 3.0V(Max.)@ IC= 10A ·Complement to Type BDW45 APPLICATIONS ·Designed for general purpose and low speed switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃) SYMBOL VCBO VCEO VEBO IC IB B PARAMETER Collector-Base Voltage Collector-Emitter Voltage Emitter-Base Voltage Collector Current-Continuous Base Current-Continuous Collector Power Dissipation @ TC=25℃ Junction Temperature Storage Temperature Range VALUE 60 60 5 15 0.5 85 150 -55~150 UNIT V V V A A W ℃ ℃ PC TJ Tstg THERMAL CHARACTERISTICS SYMBOL Rth j-c PARAMETER Thermal Resistance,Junction to Case MAX 1.47 UNIT ℃/W isc Website：www.iscsemi.cn INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Darlington Power Transistor ELECTRICAL CHARACTERISTICS TC=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP. BDW40 MAX UNIT VCEO(SUS) Collector-Emitter Sustaining Voltage IC= 30mA; IB= 0 60 V VCE(sat)-1 VCE(sat)-2 VBE(on) Collector-Emitter Saturation Voltage IC= 5A; IB= 10mA B 2.0 V Collector-Emitter Saturation Voltage IC= 10A; IB= 50mA 3.0 V Base-Emitter On Voltage IC= 10A; VCE= 4V 3.0 V ICBO Collector Cutoff Current VCB= 60V; IE= 0 1.0 mA ICEO Collector Cutoff Current VCE= 30V; IB= 0 B 2.0 mA IEBO Emitter Cutoff Current VEB= 5V; IC= 0 2.0 mA hFE-1 DC Current Gain IC= 5A; VCE= 4V 1000 hFE-2 fT DC Current Gain IC= 10A; VCE= 4V 250 Current-Gain—Bandwidth Product IC= 3A; VCE= 3V; ftest= 1MHz IE= 0; VCB= 10V; ftest= 0.1MHz 4 MHz COB Output Capacitance 200 pF isc Website：www.iscsemi.cn 2

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BDW40

1. 物料型号： - 型号为BDW40，是一款NPN达林顿功率晶体管。

2. 器件简介： - BDW40具有60V的集电极-发射极维持电压、最小直流电流增益为1000（在集电极电流为5A时）、低集电极饱和电压（在集电极电流为5A时最大为2.0V，集电极电流为10A时最大为3.0V），并且是BDW45型号的补充。

3. 引脚分配： - 引脚1：基极（BASE） - 引脚2：集电极（COLLECTOR） - 引脚3：发射极（EMITTER） - 封装为TO-220C。

4. 参数特性： - 绝对最大额定值包括：集基电压（VCBO）60V、集射电压（VCEO）60V、基射电压（VEBO）5V、集电极连续电流（Ic）15A、基极连续电流（IB）0.5A、集电极功率耗散（Pc）85W于25°C、结温（TJ）150°C、储存温度范围（Tstg）-55~150°C。

5. 功能详解： - 设计用于通用和低速开关应用。

6. 应用信息： - 适用于一般用途和低速开关应用。

7. 封装信息： - 封装类型为TO-220C，具体尺寸参数如下： - A: 15.70mm至15.90mm - B: 9.90mm至10.10mm - C: 4.20mm至4.40mm - D: 0.70mm至0.90mm - F: 3.40mm至3.60mm - G: 4.98mm至5.18mm - H: 2.70mm至2.90mm - J: 0.44mm至0.46mm - K: 13.20mm至13.40mm - L: 1.10mm至1.30mm - Q: 2.70mm至2.90mm - R: 2.50mm至2.70mm - S: 1.29mm至1.31mm - U: 6.45mm至6.65mm - V: 8.66mm至8.86mm - 热阻参数：结到封装的热阻（Rth j-c）为1.47°C/W。

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