1. 物料型号：BDW45，是由INCHANGE Semiconductor生产的Silicon PNP Darlington Power Transistor。
2. 器件简介：
- 具有Collector-Emitter Sustaining Voltage（VCEO(SUS)）为-60V。
- 高直流电流增益（hFE），最小值为1000（在Ic=-5A时）。
- 低Collector Saturation Voltage（VCE(sat)），在Ic=-5.0A时最大为-2.0V，在Ic=-10A时最大为-3.0V。
- 与BDW40型号互补。
3. 引脚分配：
- PIN 1: BASE（基极）
- PIN 2: COLLECTOR（集电极）
- PIN 3: EMITTER（发射极）
- 采用TO-220C封装。
4. 参数特性：
- ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃)：
- VCBO（Collector-Base Voltage）：-60V
- VCEO（Collector-Emitter Voltage）：-60V
- VEBO（Emitter-Base Voltage）：-5V
- Ic（Collector Current-Continuous）：-15A
- lB（Base Current-Continuous）：-0.5A
- Pc（Collector Power Dissipation @Tc=25°C）：85W
- TJ（Junction Temperature）：150℃
- Tstg（Storage Temperature Range）：-55~150℃
5. 功能详解：
- 设计用于通用和低速开关应用。
- 电气特性（T_C=25°C unless otherwise specified）：
- VCEO(SUS)：Collector-Emitter Sustaining Voltage，Ic=-30mA; IB=0时为-60V。
- VcE(sat-1)：Collector-Emitter Saturation Voltage，Ic=-5A; IB=-10mA时为-2.0V。
- VcE(sat-2)：Collector-Emitter Saturation Voltage，Ic=-10A; IB=-50mA时为-3.0V。
- VBE(on)：Base-Emitter On Voltage，Ic=-10A; Ve=-4V时为-3.0V。
- IcBO：Collector Cutoff Current，VcB=-60V; Ie=0时为-1.0mA。
- ICEO：Collector Cutoff Current，VcE=-30V; IB=0时为-2.0mA。
- IEBO：Emitter Cutoff Current，VEB=-5V; Ic=0时为-2.0mA。
- hFE-1：DC Current Gain，Ic=-5A; VcE=-4V时为1000。
- hFE-2：DC Current Gain，Ic=-10A; VcE=-4V时为250。
- fr：Current-Gain-Bandwidth Product，Ic=-3A; VcE=-3V; ftest=1MHz时为4MHz。
- CoB：Output Capacitance，Ie=0; VcB=-10V; ftest=0.1MHz时为300pF。
6. 应用信息：
- 适用于通用和低速开关应用。
7. 封装信息：
- 采用TO-220C封装，具有详细的尺寸参数（DIMENSIONS），包括最小值和最大值。
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