BDW45

厂商：
ISC(固电半导体)
封装：
描述：
BDW45 - isc Silicon PNP Darlington Power Transistor - Inchange Semiconductor Company Limited

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INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon PNP Darlington Power Transistor BDW45 DESCRIPTION ·Collector-Emitter Sustaining Voltage: VCEO(SUS)= -60V(Min) ·High DC Current Gain : hFE= 1000(Min) @IC= -5A ·Low Collector Saturation Voltage : VCE(sat)= -2.0V(Max.)@ IC= -5.0A = -3.0V(Max.)@ IC= -10A ·Complement to Type BDW40 APPLICATIONS ·Designed for general purpose and low speed switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃) SYMBOL VCBO VCEO VEBO IC IB B PARAMETER Collector-Base Voltage Collector-Emitter Voltage Emitter-Base Voltage Collector Current-Continuous Base Current-Continuous Collector Power Dissipation @ TC=25℃ Junction Temperature Storage Temperature Range VALUE -60 -60 -5 -15 -0.5 85 150 -55~150 UNIT V V V A A W ℃ ℃ PC TJ Tstg THERMAL CHARACTERISTICS SYMBOL Rth j-c PARAMETER Thermal Resistance,Junction to Case MAX 1.47 UNIT ℃/W isc Website：www.iscsemi.cn INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon PNP Darlington Power Transistor ELECTRICAL CHARACTERISTICS TC=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP. BDW45 MAX UNIT VCEO(SUS) Collector-Emitter Sustaining Voltage IC= -30mA; IB= 0 -60 V VCE(sat)-1 VCE(sat)-2 VBE(on) Collector-Emitter Saturation Voltage IC= -5A; IB= -10mA B -2.0 V Collector-Emitter Saturation Voltage IC= -10A; IB= -50mA -3.0 V Base-Emitter On Voltage IC= -10A ; VCE= -4V -3.0 V ICBO Collector Cutoff Current VCB= -60V; IE= 0 -1.0 mA ICEO Collector Cutoff Current VCE= -30V; IB= 0 B -2.0 mA IEBO Emitter Cutoff Current VEB= -5V; IC= 0 -2.0 mA hFE-1 DC Current Gain IC= -5A ; VCE= -4V 1000 hFE-2 fT DC Current Gain IC= -10A ; VCE= -4V 250 Current-Gain—Bandwidth Product IC= -3A; VCE= -3V; ftest= 1MHz IE= 0; VCB= -10V; ftest= 0.1MHz 4 MHz COB Output Capacitance 300 pF isc Website：www.iscsemi.cn 2

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BDW45

1. 物料型号：BDW45，是由INCHANGE Semiconductor生产的Silicon PNP Darlington Power Transistor。

2. 器件简介： - 具有Collector-Emitter Sustaining Voltage（VCEO(SUS)）为-60V。 - 高直流电流增益（hFE），最小值为1000（在Ic=-5A时）。 - 低Collector Saturation Voltage（VCE(sat)），在Ic=-5.0A时最大为-2.0V，在Ic=-10A时最大为-3.0V。 - 与BDW40型号互补。

3. 引脚分配： - PIN 1: BASE（基极） - PIN 2: COLLECTOR（集电极） - PIN 3: EMITTER（发射极） - 采用TO-220C封装。

4. 参数特性： - ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃)： - VCBO（Collector-Base Voltage）：-60V - VCEO（Collector-Emitter Voltage）：-60V - VEBO（Emitter-Base Voltage）：-5V - Ic（Collector Current-Continuous）：-15A - lB（Base Current-Continuous）：-0.5A - Pc（Collector Power Dissipation @Tc=25°C）：85W - TJ（Junction Temperature）：150℃ - Tstg（Storage Temperature Range）：-55~150℃

5. 功能详解： - 设计用于通用和低速开关应用。 - 电气特性（T_C=25°C unless otherwise specified）： - VCEO(SUS)：Collector-Emitter Sustaining Voltage，Ic=-30mA; IB=0时为-60V。 - VcE(sat-1)：Collector-Emitter Saturation Voltage，Ic=-5A; IB=-10mA时为-2.0V。 - VcE(sat-2)：Collector-Emitter Saturation Voltage，Ic=-10A; IB=-50mA时为-3.0V。 - VBE(on)：Base-Emitter On Voltage，Ic=-10A; Ve=-4V时为-3.0V。 - IcBO：Collector Cutoff Current，VcB=-60V; Ie=0时为-1.0mA。 - ICEO：Collector Cutoff Current，VcE=-30V; IB=0时为-2.0mA。 - IEBO：Emitter Cutoff Current，VEB=-5V; Ic=0时为-2.0mA。 - hFE-1：DC Current Gain，Ic=-5A; VcE=-4V时为1000。 - hFE-2：DC Current Gain，Ic=-10A; VcE=-4V时为250。 - fr：Current-Gain-Bandwidth Product，Ic=-3A; VcE=-3V; ftest=1MHz时为4MHz。 - CoB：Output Capacitance，Ie=0; VcB=-10V; ftest=0.1MHz时为300pF。

6. 应用信息： - 适用于通用和低速开关应用。

7. 封装信息： - 采用TO-220C封装，具有详细的尺寸参数（DIMENSIONS），包括最小值和最大值。

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