BDW46

厂商：
ISC(固电半导体)
封装：
描述：
BDW46 - isc Silicon PNP Darlington Power Transistor - Inchange Semiconductor Company Limited

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INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon PNP Darlington Power Transistor BDW46 DESCRIPTION ·Collector-Emitter Sustaining Voltage: VCEO(SUS)= -80V(Min) ·High DC Current Gain : hFE= 1000(Min) @IC= -5A ·Low Collector Saturation Voltage : VCE(sat)= -2.0V(Max.)@ IC= -5.0A = -3.0V(Max.)@ IC= -10A ·Complement to Type BDW41 APPLICATIONS ·Designed for general purpose and low speed switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃) SYMBOL VCBO VCEO VEBO IC IB B PARAMETER Collector-Base Voltage Collector-Emitter Voltage Emitter-Base Voltage Collector Current-Continuous Base Current-Continuous Collector Power Dissipation @ TC=25℃ Junction Temperature Storage Temperature Range VALUE -80 -80 -5 -15 -0.5 85 150 -55~150 UNIT V V V A A W ℃ ℃ PC TJ Tstg THERMAL CHARACTERISTICS SYMBOL Rth j-c PARAMETER Thermal Resistance,Junction to Case MAX 1.47 UNIT ℃/W isc Website：www.iscsemi.cn INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon PNP Darlington Power Transistor ELECTRICAL CHARACTERISTICS TC=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP. BDW46 MAX UNIT VCEO(SUS) Collector-Emitter Sustaining Voltage IC= -30mA; IB= 0 -80 V VCE(sat)-1 VCE(sat)-2 VBE(on) Collector-Emitter Saturation Voltage IC= -5A; IB= -10mA B -2.0 V Collector-Emitter Saturation Voltage IC= -10A; IB= -50mA -3.0 V Base-Emitter On Voltage IC= -10A ; VCE= -4V -3.0 V ICBO Collector Cutoff Current VCB= -80V; IE= 0 -1.0 mA ICEO Collector Cutoff Current VCE= -40V; IB= 0 B -2.0 mA IEBO Emitter Cutoff Current VEB= -5V; IC= 0 -2.0 mA hFE-1 DC Current Gain IC= -5A ; VCE= -4V 1000 hFE-2 fT DC Current Gain IC= -10A ; VCE= -4V 250 Current-Gain—Bandwidth Product IC= -3A; VCE= -3V; ftest= 1MHz IE= 0; VCB= -10V; ftest= 0.1MHz 4 MHz COB Output Capacitance 300 pF isc Website：www.iscsemi.cn 2

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BDW46

1. 物料型号： - 型号：BDW46 - 制造商：INCHANGE Semiconductor

2. 器件简介： - BDW46是一款硅PNP达林顿功率晶体管，具有以下特点： - 集电极-发射极维持电压：V_{CEO(SUS)}=-80V（最小值） - 高直流电流增益：h_{FE}=1000（最小值）@ I_{C}=-5A - 低集电极饱和电压：V_{CE(sat)}=-2.0V（最大值）@ I_{C}=-5.0A 和 V_{CE(sat)}=-3.0V（最大值）@ I_{C}=-10A - 与BDW41型号互补

3. 引脚分配： - PIN 1: BASE（基极） - PIN 2: COLLECTOR（集电极） - PIN 3: EMITTER（发射极） - 封装类型：TO-220C

4. 参数特性： - 绝对最大额定值（Ta=25℃）： - VCBO（集电极-基极电压）：-80V - VCEO（集电极-发射极电压）：-80V - VEBO（发射极-基极电压）：-5V - IC（集电极电流-连续）：-15A - 基极电流-连续：-0.5A - PC（集电极功耗@TC=25℃）：85W - TJ（结温）：150℃ - Tstg（存储温度范围）：-55~150℃

5. 功能详解： - 设计用于通用和低速开关应用。

6. 应用信息： - 适用于一般用途和低速开关应用。

7. 封装信息： - 封装类型：TO-220C - 封装尺寸参数（单位：mm）： - A: 15.70-15.90 - B: 9.90-10.10 - C: 4.20-4.40 - D: 0.70-0.90 - F: 3.40-3.60 - G: 4.98-5.18 - H: 2.70-2.90 - K: 13.20-13.40 - Q: 1.10-2.90 - RS: 2.70 - U: 6.45-6.65

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