1. 物料型号:
- BDW55/57/59是NPN型功率晶体管,由INCHANGE Semiconductor生产。
2. 器件简介:
- 这些晶体管设计用于专业设备,如电信设备等,具有不同的集电极-发射极击穿电压(BDW55为45V,BDW57为60V,BDW59为80V)。
3. 引脚分配:
- 引脚1:发射极(Emitter)
- 引脚2:集电极(Collector)
- 引脚3:基极(Base),封装为TO-126。
4. 参数特性:
- 集电极-基极电压(VCBO):BDW55为45V,BDW57为60V,BDW59为100V。
- 集电极-发射极电压(VCEO):BDW55为45V,BDW57为60V,BDW59为80V。
- 发射极-基极电压(VEBO):5V。
- 集电极电流-连续(Ic):1A。
- 集电极电流-峰值(ICM):1.5A。
- 集电极功耗耗散(Pc):8W。
- 结温(TJ):175°C。
- 存储温度范围(Tstg):-65~175°C。
5. 功能详解:
- 这些晶体管具有不同的集电极-发射极击穿电压,适用于不同的功率处理需求。它们还具有特定的热阻和电气特性,如集电极截止电流、发射极截止电流、直流电流增益等。
6. 应用信息:
- 设计用于专业设备,如电信设备等。
7. 封装信息:
- 封装类型为TO-126,具体尺寸参数如下:
- A:10.70-10.90mm
- B:7.70-7.90mm
- C:2.60-2.80mm
- D:0.66-0.86mm
- F:3.10-3.30mm
- G:4.48-4.68mm
- H:2.00-2.20mm
- J:1.35-1.55mm
- K:16.10-16.30mm
- Q:3.70-3.90mm
- R:0.40-0.60mm
- V:1.17-1.37mm