BDW63C

厂商：
ISC(固电半导体)
封装：
描述：
BDW63C - isc Silicon NPN Darlington Power Transistor - Inchange Semiconductor Company Limited

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INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Darlington Power Transistor DESCRIPTION ·Collector Current -IC= 6A ·High DC Current Gain-hFE= 750(Min.)@ IC= 2A ·Complement to Type BDW64/A/B/C/D APPLICATIONS ·Designed for audio output stages and general amplifier and switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃) SYMBOL PARAMETER BDW63 BDW63A VCBO Collector-Base Voltage BDW63B BDW63C BDW63D BDW63 BDW63A VCEO Collector-Emitter Voltage BDW63B BDW63C BDW63D VEBO IC IB B BDW63/A/B/C/D VALUE 45 60 80 100 120 45 60 80 100 120 5 6 0.1 2 UNIT V V Emitter-Base Voltage Collector Current-Continuous Base Current-Continuous Collector Power Dissipation @ Ta=25℃ Collector Power Dissipation @ TC=25℃ Junction Temperature Storage Temperature Range V A A PC W 60 150 -65~150 ℃ ℃ TJ Tstg THERMAL CHARACTERISTICS SYMBOL Rth j-c Rth j-c PARAMETER Thermal Resistance, Junction to Case Thermal Resistance, Junction to Case MAX 2.08 62.5 UNIT ℃/W ℃/W isc Website：www.iscsemi.cn INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Darlington Power Transistor ELECTRICAL CHARACTERISTICS TC=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER BDW63 BDW63A V(BR)CEO Collector-Emitter Breakdown Voltage BDW63B BDW63C BDW63D VCE(sat)-1 VCE(sat)-2 VBE(on) VECF Collector-Emitter Saturation Voltage Collector-Emitter Saturation Voltage Base-Emitter On Voltage C-E Diode Forward Voltage BDW63 BDW63A ICEO Collector Cutoff Current BDW63B BDW63C BDW63D BDW63 BDW63A ICBO Collector Cutoff Current BDW63B BDW63C BDW63D IEBO hFE-1 hFE-2 Emitter Cutoff Current DC Current Gain DC Current Gain IC= 2A; IB= 12mA B BDW63/A/B/C/D CONDITIONS MIN 45 60 TYP. MAX UNIT IC= 30mA; IB=0 80 100 120 2.5 4.0 2.5 3.5 V V V V V IC= 6A; IB= 60mA B IC= 2A; VCE= 3V IF= 6A VCE= 30V; IB= 0 B VCE= 30V; IB= 0 B VCE= 40V; IB= 0 B 0.5 mA VCE= 50V; IB= 0 B VCE= 60V; IB= 0 B VCB= 45V; IE= 0 VCB= 45V; IE= 0; TJ= 150℃ VCB= 60V; IE= 0 VCB= 60V; IE= 0; TJ= 150℃ VCB= 80V; IE= 0 VCB= 80V; IE= 0; TJ= 150℃ VCB= 100V; IE= 0 VCB= 100V; IE= 0; TJ= 150℃ VCB= 120V; IE= 0 VCB= 120V; IE= 0; TJ= 150℃ VEB= 5V; IC=0 IC= 2A; VCE= 3V IC= 6A; VCE= 3V 750 100 0.2 5.0 0.2 5.0 0.2 5.0 0.2 5.0 0.2 5.0 2.0 20000 mA mA Switching times ton toff Turn-on Time Turn-off Time IC= 3A; IB1= -IB2= 12mA; VBE(off)= -4.5V, RL=10Ω 1.0 5.0 μs μs isc Website：www.iscsemi.cn 2

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BDW63C

1. 物料型号： - BDW63/A/B/C/D 是ISC Silicon NPN Darlington Power Transistor的型号。

2. 器件简介： - 这些是硅NPN达林顿功率晶体管，具有6A的集电极电流（IC）和最小750的直流电流增益（hFE）@ IC= 2A。 - 它们是BDW64/A/B/C/D型号的互补类型。

3. 引脚分配： - 引脚1：基极（BASE） - 引脚2：集电极（COLLECTOR） - 引脚3：发射极（EMITTER）

4. 参数特性： - 绝对最大额定值包括集电极-基极电压（VCBO）、集电极-发射极电压（VCEO）、发射极-基极电压（VEBO）、集电极电流（Ic）、基极电流（IB）、集电极功耗（Pc）等。 - 例如，BDW63的VCBO和VCEO为45V，而其他型号（A/B/C/D）分别为60V、80V、100V、120V。

5. 功能详解： - 设计用于音频输出级和一般放大器和开关应用。 - 提供了详细的电气特性，包括集电极-发射极击穿电压、集电极-发射极饱和电压、基极-发射极导通电压等。

6. 应用信息： - 主要用于音频输出阶段和一般放大器和开关应用。

7. 封装信息： - 提供了TO-220C封装的尺寸参数，包括最小值和最大值。

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