BDW64

厂商：
ISC(固电半导体)
封装：
描述：
BDW64 - isc Silicon PNP Darlington Power Transistor - Inchange Semiconductor Company Limited

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BDW64 数据手册

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon PNP Darlington Power Transistor DESCRIPTION ·Collector Current -IC= -6A ·High DC Current Gain-hFE= 750(Min.)@ IC= -2A ·Complement to Type BDW63/A/B/C/D APPLICATIONS ·Designed for audio output stages and general amplifier and switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃) SYMBOL PARAMETER BDW64 BDW64A VCBO Collector-Base Voltage BDW64B BDW64C BDW64D BDW64 BDW64A VCEO Collector-Emitter Voltage BDW64B BDW64C BDW64D VEBO IC IB B BDW64/A/B/C/D VALUE -45 -60 -80 -100 -120 -45 -60 -80 -100 -120 -5 -6 -0.1 2 UNIT V V Emitter-Base Voltage Collector Current-Continuous Base Current-Continuous Collector Power Dissipation @ Ta=25℃ Collector Power Dissipation @ TC=25℃ Junction Temperature Storage Temperature Range V A A PC W 60 150 -65~150 ℃ ℃ TJ Tstg THERMAL CHARACTERISTICS SYMBOL Rth j-c Rth j-c PARAMETER Thermal Resistance, Junction to Case Thermal Resistance, Junction to Case MAX 2.08 62.5 UNIT ℃/W ℃/W isc Website：www.iscsemi.cn INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon PNP Darlington Power Transistor ELECTRICAL CHARACTERISTICS TC=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER BDW64 BDW64A V(BR)CEO Collector-Emitter Breakdown Voltage BDW64B BDW64C BDW64D VCE(sat)-1 VCE(sat)-2 VBE(on) VECF Collector-Emitter Saturation Voltage Collector-Emitter Saturation Voltage Base-Emitter On Voltage C-E Diode Forward Voltage BDW64 BDW64A ICEO Collector Cutoff Current BDW64B BDW64C BDW64D BDW64 BDW64A ICBO Collector Cutoff Current BDW64B BDW64C BDW64D IEBO hFE-1 hFE-2 Emitter Cutoff Current DC Current Gain DC Current Gain IC= -2A; IB= -12mA B BDW64/A/B/C/D CONDITIONS MIN -45 -60 TYP. MAX UNIT IC= -30mA; IB= 0 -80 -100 -120 -2.5 -4.0 -2.5 -3.5 V V V V V IC= -6A; IB= -60mA B IC= -2A; VCE= -3V IF= -6A VCE= -30V; IB= 0 B VCE= -30V; IB= 0 B VCE= -40V; IB= 0 B -0.5 mA VCE= -50V; IB= 0 B VCE= -60V; IB= 0 B VCB= -45V; IE= 0 VCB= -45V; IE= 0; TJ= 150℃ VCB= -60V; IE= 0 VCB= -60V; IE= 0; TJ= 150℃ VCB= -80V; IE= 0 VCB= -80V; IE= 0; TJ= 150℃ VCB= -100V; IE= 0 VCB= -100V; IE= 0; TJ= 150℃ VCB= -120V; IE= 0 VCB= -120V; IE= 0; TJ= 150℃ VEB= -5V; IC= 0 IC= -2A; VCE= -3V IC= -6A; VCE= -3V 750 100 -0.2 -5.0 -0.2 -5.0 -0.2 -5.0 -0.2 -5.0 -0.2 -5.0 -2.0 20000 mA mA Switching times ton toff Turn-on Time Turn-off Time IC= -3A; IB1= -IB2= -12mA; VBE(off)= -4.5V, RL=10Ω 1.0 5.0 μs μs isc Website：www.iscsemi.cn 2

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BDW64

1. 物料型号： - BDW64/A/B/C/D是硅PNP达林顿功率晶体管的型号。

2. 器件简介： - BDW64/A/B/C/D是硅PNP达林顿功率晶体管，具有高直流电流增益（最小hFE为750），适用于音频输出级、一般放大和开关应用。

3. 引脚分配： - PIN 1: BASE（基极） - PIN 2: COLLECTOR（集电极） - PIN 3: EMITTER（发射极）

4. 参数特性： - 集电极电流（Ic）：最大连续6A - 集电极-基极电压（VCBO）：BDW64为-45V，其他型号分别为-60V、-80V、-100V、-120V - 集电极-发射极电压（VCEO）：BDW64为-45V，其他型号分别为-60V、-80V、-100V、-120V - 发射极-基极电压（VEBO）：-5V - 基极电流（Ib）：最大连续0.1A - 集电极功耗（Pc）：@Ta=25°C时为2W，@Tc=25°C时为60W - 结温（TJ）：150°C - 存储温度范围（Tstg）：-65~150°C

5. 功能详解： - 该晶体管设计用于音频输出级和一般放大及开关应用，具有高电流增益和高耐压特性。

6. 应用信息： - 适用于音频输出级、一般放大和开关应用。

7. 封装信息： - TO-220C封装，具体尺寸参数如下： - A: 15.70mm至15.90mm - B: 9.90mm至10.10mm - C: 4.20mm至4.40mm - D: 0.70mm至0.90mm - F: 3.40mm至3.60mm - G: 4.98mm至5.18mm - H: 2.70mm至2.90mm - J: 0.44mm至0.46mm - K: 13.20mm至13.40mm - L: 1.10mm至1.30mm - Q: 2.70mm至2.90mm - R: 2.50mm至2.70mm - S: 1.29mm至1.31mm - U: 6.45mm至6.65mm - V: 8.66mm至8.86mm

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