BDW74A

厂商：
ISC(固电半导体)
封装：
描述：
BDW74A - isc Silicon PNP Darlington Power Transistor - Inchange Semiconductor Company Limited

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BDW74A 数据手册

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon PNP Darlington Power Transistor DESCRIPTION ·Collector Current -IC= -8A ·High DC Current Gain-hFE= 750(Min.)@ IC= -3A ·Complement to Type BDW73/A/B/C/D APPLICATIONS ·Designed for audio output stages and general amplifier and switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃) SYMBOL PARAMETER BDW74 BDW74A VCBO Collector-Base Voltage BDW74B BDW74C BDW74D BDW74 BDW74A VCEO Collector-Emitter Voltage BDW74B BDW74C BDW74D VEBO IC IB B BDW74/A/B/C/D VALUE -45 -60 -80 -100 -120 -45 -60 -80 -100 -120 -5 -8 -0.3 2 UNIT V V Emitter-Base Voltage Collector Current-Continuous Base Current-Continuous Collector Power Dissipation @ Ta=25℃ Collector Power Dissipation @ TC=25℃ Junction Temperature Storage Temperature Range V A A PC W 80 150 -65~150 ℃ ℃ TJ Tstg THERMAL CHARACTERISTICS SYMBOL Rth j-c Rth j-c PARAMETER Thermal Resistance, Junction to Case Thermal Resistance, Junction to Case MAX 1.56 62.5 UNIT ℃/W ℃/W isc Website：www.iscsemi.cn INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon PNP Darlington Power Transistor ELECTRICAL CHARACTERISTICS TC=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER BDW74 BDW74A V(BR)CEO Collector-Emitter Breakdown Voltage BDW74B BDW74C BDW74D VCE(sat)-1 VCE(sat)-2 VBE(on) VECF Collector-Emitter Saturation Voltage Collector-Emitter Saturation Voltage Base-Emitter On Voltage C-E Diode Forward Voltage BDW74 BDW74A ICEO Collector Cutoff Current BDW74B BDW74C BDW74D BDW74 BDW74A ICBO Collector Cutoff Current BDW74B BDW74C BDW74D IEBO hFE-1 hFE-2 Emitter Cutoff Current DC Current Gain DC Current Gain IC= -3A; IB= -12mA B BDW74/A/B/C/D CONDITIONS MIN -45 -60 TYP. MAX UNIT IC= -30mA; IB= 0 -80 -100 -120 -2.5 -4.0 -2.5 -3.5 V V V V V IC= -8A; IB= -80mA B IC= -3A; VCE= -3V IF= -8A VCE= -30V; IB= 0 B VCE= -30V; IB= 0 B VCE= -40V; IB= 0 B -0.5 mA VCE= -50V; IB= 0 B VCE= -60V; IB= 0 B VCB= -45V; IE= 0 VCB= -45V; IE= 0; TJ= 150℃ VCB= -60V; IE= 0 VCB= -60V; IE= 0; TJ= 150℃ VCB= -80V; IE= 0 VCB= -80V; IE= 0; TJ= 150℃ VCB= -100V; IE= 0 VCB= -100V; IE= 0; TJ= 150℃ VCB= -120V; IE= 0 VCB= -120V; IE= 0; TJ= 150℃ VEB= -5V; IC= 0 IC= -3A; VCE= -3V IC= -8A; VCE= -3V 750 100 -0.2 -5.0 -0.2 -5.0 -0.2 -5.0 -0.2 -5.0 -0.2 -5.0 -2.0 20000 mA mA Switching times ton toff Turn-on Time Turn-off Time IC= -3A; IB1= -IB2= -12mA; VBE(off)= 3.5V, RL=10Ω 1.0 5.0 μs μs isc Website：www.iscsemi.cn 2

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BDW74A

1. 物料型号： - 型号为BDW74/A/B/C/D，是一款硅PNP达林顿功率晶体管。

2. 器件简介： - BDW74/A/B/C/D具有高直流电流增益（hFE=750最小值，IC=3A），集电极电流-IC3为-8A，是BDW73/A/B/C/D的互补型号，适用于音频输出级、一般放大和开关应用。

3. 引脚分配： - 引脚1：基极（BASE） - 引脚2：集电极（COLLECTOR） - 引脚3：发射极（EMITTER） - 封装为TO-220C。

4. 参数特性： - 绝对最大额定值在25°C下，包括集电极-基极电压（VCBO）、集电极-发射极电压（VCEO）、发射极-基极电压（VEBO）、集电极电流（Ic）、基极电流（IB）、集电极功耗（Pc）、结温（TJ）和储存温度范围（Tstg）。

5. 功能详解和应用信息： - 该晶体管设计用于音频输出级和一般放大和开关应用。电气特性表中提供了不同工作条件下的最小值、典型值和最大值，如集电极-发射极击穿电压（V(BR)CEO）、集电极-发射极饱和电压（VcE(sat)）、基极-发射极导通电压（VBE(on)）、集电极截止电流（ICEO）等。

6. 封装信息： - 提供了TO-220C封装的详细尺寸参数，包括最小值、最大值。

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