物料型号:
- 型号为BDW93/A/B/C。
器件简介:
- 该器件是一款硅NPN功率晶体管,具有不同的集电极-发射极击穿电压(VCEO(SUS))等级,分别为45V、60V、80V和100V,适用于BDW93、BDW93A、BDW93B和BDW93C。
引脚分配:
- 1. BASE(基极)
- 2. COLLECTOR(集电极)
- 3. EMITTER(发射极)
参数特性:
- 集电极电流(Ic):连续12A,峰值15A。
- 集电极-基极电压(VCBO):BDW93为45V,BDW93A为60V,BDW93B为80V,BDW93C为100V。
- 集电极-发射极电压(VCEO):同上。
- 发射极-基极电压(VEBO):5V。
- 基极电流(Ib):0.2A。
- 集电极功率耗散(Pc):在Tc=25°C时为80W。
- 结温(TJ):150°C。
- 存储温度范围(Tstg):-65°C至150°C。
功能详解:
- 设计用于锤击驱动器、音频放大应用。
- 具有不同的集电极-发射极维持电压和饱和电压,以及基极-发射极饱和电压。
应用信息:
- 适用于锤击驱动器和音频放大器应用。
封装信息:
- 封装类型为TO-220C,具体的封装尺寸参数如下:
- A:15.70mm至15.90mm
- B:9.90mm至10.10mm
- C:4.20mm至4.40mm
- D:0.70mm至0.90mm
- F:3.40mm至3.60mm
- G:4.98mm至5.18mm
- H:2.70mm至2.90mm
- J:0.44mm至0.46mm
- K:13.20mm至13.40mm
- L:1.10mm至1.30mm
- Q:2.70mm至2.90mm
- R:2.50mm至2.70mm
- S:1.29mm至1.31mm
- U:6.45mm至6.65mm
- V:8.66mm至8.86mm