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BDW93

BDW93

  • 厂商:

    ISC(固电半导体)

  • 封装:

  • 描述:

    BDW93 - isc Silicon NPN Power Transistor - Inchange Semiconductor Company Limited

  • 详情介绍
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BDW93 数据手册
INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor BDW93/A/B/C DESCRIPTION ·Collector Current -IC= 12A ·Collector-Emitter Sustaining Voltage: VCEO(SUS) = 45V(Min)- BDW93; 60V(Min)- BDW93A 80V(Min)- BDW93B; 100V(Min)- BDW93C ·Complement to Type BDW94/A/B/C APPLICATIONS ·Designed for hammer drivers, audio amplifier applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃) SYMBOL PARAMETER BDW93 Collector-Base Voltage BDW93A BDW93B BDW93C BDW93 Collector-Emitter Voltage BDW93A BDW93B BDW93C VEBO IC ICM IB B VALUE 45 60 UNIT VCBO V 80 100 45 60 V 80 100 5 12 15 0.2 80 150 -65~150 V A A A W ℃ ℃ VCEO Emitter-Base Voltage Collector Current-Continuous Collector Current-Peak Base Current Collector Power Dissipation @ TC=25℃ Junction Temperature Storage Temperature Range PC TJ Tstg THERMAL CHARACTERISTICS SYMBOL Rth j-c PARAMETER Thermal Resistance, Junction to Case MAX 1.5 UNIT ℃/W isc Website:www.iscsemi.cn INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor ELECTRICAL CHARACTERISTICS TC=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER BDW93 BDW93A IC= 100mA; IB= 0 BDW93B BDW93C VCE(sat)-1 VCE(sat)-2 VBE(sat)-1 VBE(sat)-1 Collector-Emitter Saturation Voltage Collector-Emitter Saturation Voltage Base-Emitter Saturation Voltage Base-Emitter Saturation Voltage BDW93 BDW93A BDW93B BDW93C BDW93 BDW93A BDW93B BDW93C IEBO hFE-1 hFE-2 hFE-3 VECF-1 VECF-2 Emitter Cutoff Current DC Current Gain DC Current Gain DC Current Gain C-E Diode Forward Voltage C-E Diode Forward Voltage IC= 5A; IB= 20mA B BDW93/A/B/C CONDITIONS MIN 45 60 TYP. MAX UNIT VCEO(SUS) Collector-Emitter Sustaining Voltage V 80 100 2.0 3.0 2.5 4.0 V V V V IC= 10A; IB= 0.1A IC= 5A; IB= 20mA B IC= 10A; IB= 0.1A VCB= 45V; IE= 0 VCB= 60V; IE= 0 ICBO Collector Cutoff Current 0.1 VCB= 80V; IE= 0 VCB= 100V; IE= 0 VCE= 45V; IB= 0 B mA ICEO Collector Cutoff Current VCE= 60V; IB= 0 B 1.0 VCE= 80V; IB= 0 B mA VCE= 100V; IB= 0 VEB= 5V; IC= 0 IC= 3A; VCE= 3V IC= 5A; VCE= 3V IC= 10A; VCE= 3V IF= 5A IF= 10A 1000 750 100 2.0 4.0 V V 20000 2.0 mA isc Website:www.iscsemi.cn 2
BDW93
物料型号: - 型号为BDW93/A/B/C。

器件简介: - 该器件是一款硅NPN功率晶体管,具有不同的集电极-发射极击穿电压(VCEO(SUS))等级,分别为45V、60V、80V和100V,适用于BDW93、BDW93A、BDW93B和BDW93C。

引脚分配: - 1. BASE(基极) - 2. COLLECTOR(集电极) - 3. EMITTER(发射极)

参数特性: - 集电极电流(Ic):连续12A,峰值15A。 - 集电极-基极电压(VCBO):BDW93为45V,BDW93A为60V,BDW93B为80V,BDW93C为100V。 - 集电极-发射极电压(VCEO):同上。 - 发射极-基极电压(VEBO):5V。 - 基极电流(Ib):0.2A。 - 集电极功率耗散(Pc):在Tc=25°C时为80W。 - 结温(TJ):150°C。 - 存储温度范围(Tstg):-65°C至150°C。

功能详解: - 设计用于锤击驱动器、音频放大应用。 - 具有不同的集电极-发射极维持电压和饱和电压,以及基极-发射极饱和电压。

应用信息: - 适用于锤击驱动器和音频放大器应用。

封装信息: - 封装类型为TO-220C,具体的封装尺寸参数如下: - A:15.70mm至15.90mm - B:9.90mm至10.10mm - C:4.20mm至4.40mm - D:0.70mm至0.90mm - F:3.40mm至3.60mm - G:4.98mm至5.18mm - H:2.70mm至2.90mm - J:0.44mm至0.46mm - K:13.20mm至13.40mm - L:1.10mm至1.30mm - Q:2.70mm至2.90mm - R:2.50mm至2.70mm - S:1.29mm至1.31mm - U:6.45mm至6.65mm - V:8.66mm至8.86mm
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