1. 物料型号：
- BDX33/A/B/C是Inchange Semiconductor生产的Silicon NPN Power Transistors。
2. 器件简介：
- 这些是硅NPN功率晶体管，具有TO-220C封装，高直流电流增益，是达林顿配置，与BDX34/A/B/C型号互补。
3. 引脚分配：
- PIN 1: Base（基极）
- PIN 2: Collector; connected to mounting base（集电极；连接到安装底座）
- PIN 3: Emitter（发射极）
4. 参数特性：
- 绝对最大额定值（Ta=25°C）：
- VCBO（集电极-基极电压）：BDX33为45V，BDX33A为60V，BDX33B为80V，BDX33C为100V。
- VCEO（集电极-发射极电压）：BDX33为45V，BDX33A为60V，BDX33B为80V，BDX33C为100V。
- VEBO（发射极-基极电压）：5V。
- Ic（集电极电流-DC）：10A。
- ICM（集电极电流-脉冲）：15A。
- 1B（基极电流）：0.25A。
- Pc（集电极功率耗散）：70W。
- Tj（结温）：150°C。
- Tstg（存储温度）：-65~150°C。
- 热特性：
- Rthj-c（结到外壳的热阻）：1.78°C/W。
5. 功能详解：
- 这些晶体管适用于功率线性和开关应用。
6. 应用信息：
- 用于功率线性和开关应用。
7. 封装信息：
- TO-220C封装，具体尺寸图见文档中的图2。
