BDX54F

厂商：
ISC(固电半导体)
封装：
描述：
BDX54F - isc Silicon PNP Darlington Power Transistor - Inchange Semiconductor Company Limited

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BDX54F 数据手册

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon PNP Darlington Power Transistor BDX54F DESCRIPTION ·Collector Current -IC= -8A ·High DC Current Gain: hFE= 500(Min)@ IC= -2A ·Complement to Type BDX53F APPLICATIONS ·Designed for use in power linear and switching applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃) SYMBOL VCER VCEO VEBO IC ICM IB B PARAMETER Collector-Emitter Voltage Collector-Emitter Voltage Emitter-Base Voltage Collector Current-Continuous Collector Current-Peak Base Current-Continuous Collector Power Dissipation @ TC=25℃ Junction Temperature Storage Temperature Range VALUE -160 -160 -5 -8 -12 -0.2 60 150 -65~150 UNIT V V V A A A W ℃ ℃ PC TJ Tstg THERMAL CHARACTERISTICS SYMBOL Rth j-c Rth j-a PARAMETER Thermal Resistance, Junction to Case Thermal Resistance, Junction to Ambient MAX 2.08 70 UNIT ℃/W ℃/W isc Website：www.iscsemi.cn INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon PNP Darlington Power Transistor ELECTRICAL CHARACTERISTICS TC=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP. BDX54F MAX UNIT VCEO(SUS) Collector-Emitter Sustaining Voltage IC= -50mA ;IB= 0 B -160 V VCE(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage IC= -2A; IB= -10mA B -2.0 V VBE(sat) Base-Emitter Saturation Voltage IC= -2A; IB= -10mA B -2.5 V VECF C-E Diode Forward Voltage IF= -2A -2.5 V ICEO Collector Cutoff Current VCE= -80V; IB= 0 B -0.5 mA ICBO Collector Cutoff Current VCB= -160V; IE= 0 -0.2 mA IEBO Emitter Cutoff Current VEB= -5V; IC= 0 -5 mA hFE-1 DC Current Gain IC= -2A ; VCE= -5V 500 hFE-2 DC Current Gain IC= -3A ; VCE= -5V 150 isc Website：www.iscsemi.cn 2

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BDX54F

1. 物料型号： - BDX54F

2. 器件简介： - BDX54F是一种硅PNP达林顿功率晶体管，具有高直流电流增益（最小hFE为500在Ic=-2A时）和大集电极电流（IC=-8A）。它是BDX53F的互补型号，适用于功率线性和开关应用。

3. 引脚分配： - PIN 1: BASE（基极） - PIN 2: COLLECTOR（集电极） - PIN 3: EMITTER（发射极） - 封装类型为TO-220C。

4. 参数特性： - 绝对最大额定值（在Ta=25°C时）： - VCER/VCEO（集电极-发射极电压）：-160V - VEBO（发射极-基极电压）：-5V - Ic（连续集电极电流）：-8A - IcM（峰值集电极电流）：-12A - IB（连续基极电流）：-0.2A - Pc（在Tc=25°C时的集电极功率耗散）：60W - TJ（结温）：150°C - Tstg（存储温度范围）：-65~150°C

5. 功能详解： - 该晶体管设计用于功率线性和开关应用，具有达林顿结构，提供高电流增益和大电流处理能力。

6. 应用信息： - 设计用于功率线性和开关应用。

7. 封装信息： - TO-220C封装，具体的封装尺寸参数如下： - A: 15.70mm到15.90mm - B: 9.90mm到10.10mm - C: 4.20mm到4.40mm - D: 0.70mm到0.90mm - F: 3.40mm到3.60mm - G: 4.98mm到5.18mm - H: 2.70mm到2.90mm - J: 0.44mm到0.46mm - K: 13.20mm到13.40mm - L: 1.10mm到1.30mm - Q: 2.70mm到2.90mm - R: 2.50mm到2.70mm - S: 1.29mm到1.31mm - U: 无具体数值

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