BDX91

厂商：
ISC(固电半导体)
封装：
描述：
BDX91 - isc Silicon NPN Power Transistor - Inchange Semiconductor Company Limited

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INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector Current -IC= 10A ·Collector-Emitter Breakdown Voltage: V(BR)CEO = 60V(Min)- BDX91 80V(Min)- BDX93 100V(Min)- BDX95 ·Complement to Type BDX92/94/96 APPLICATIONS ·Designed for use in general purpose power amplifier and switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃) SYMBOL PARAMETER BDX91 VCBO Collector-Base Voltage BDX93 BDX95 BDX91 VCEO Collector-Emitter Voltage BDX93 BDX95 VEBO IC ICM PC TJ Tstg Emitter-Base Voltage Collector Current-Continuous Collector Current-Peak Collector Power Dissipation @ TC=25℃ Junction Temperature Storage Temperature Range VALUE 60 80 100 60 80 100 5 10 15 90 200 -65~200 V A A W ℃ ℃ V V UNIT BDX91/93/95 THERMAL CHARACTERISTICS SYMBOL Rth j-c PARAMETER Thermal Resistance, Junction to Case MAX 1.94 UNIT ℃/W isc Website：www.iscsemi.cn INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor ELECTRICAL CHARACTERISTICS TC=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER BDX91 V(BR)CEO Collector-Emitter Breakdown Voltage BDX93 BDX95 VCE(sat)-1 VCE(sat)-2 VBE(sat)-1 VBE(sat)-2 VBE(on) Collector-Emitter Saturation Voltage Collector-Emitter Saturation Voltage Base-Emitter Saturation Voltage Base-Emitter Saturation Voltage Base-Emitter On Voltage BDX91 ICBO Collector Cutoff Current BDX93 BDX95 BDX91 ICEO Collector Cutoff Current BDX93 BDX95 IEBO hFE-1 hFE-2 fT Emitter Cutoff Current DC Current Gain DC Current Gain Current-Gain—Bandwidth Product IC= 3A; IB= 0.3A B BDX91/93/95 CONDITIONS MIN 45 TYP. MAX UNIT IC= 30mA ;IB=0 B 60 80 0.8 1.0 1.5 2.0 1.4 0.1 2.0 0.1 2.0 0.1 2.0 V V V V V V IC= 5A; IB= 1A B IC= 3A; IB= 0.3A B IC= 5A; IB= 1A B IC= 3A; VCE= 2V VCB= 60V; IE= 0 VCB= 30V; IE= 0; TC= 150℃ VCB= 80V; IE= 0 VCB= 40V; IE= 0; TC= 150℃ VCB= 100V; IE= 0 VCB= 50V; IE= 0; TC= 150℃ VCE= 60V;IB= 0 VCE= 80V;IB= 0 VCE= 100V;IB= 0 VEB= 5V; IC=0 IC= 3A; VCE= 2V IC= 5A; VCE= 2V IC= 1A; VCE= 10V 20 10 4 mA 0.2 mA 0.1 mA MHz Switching times ton toff Turn-on Time IC= 3A; IB1= -IB2= 0.3A Turn-off Time 2.0 μs 1.0 μs isc Website：www.iscsemi.cn 2

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BDX91

1. 物料型号： - BDX91/93/95

2. 器件简介： - 这些是NPN型功率晶体管，适用于一般用途的功率放大和开关应用。

3. 引脚分配： - 3PIN：1.BASE（基极） 2.EMITTER（发射极） 3.COLLECTOR（集电极）（CASE）TO-3封装。

4. 参数特性： - 集电极电流（Ic）：10A - 集电极-发射极击穿电压（V(BR)CEO）：BDX91为60V，BDX93为80V，BDX95为100V - 集电极-基极电压（VCBO）：BDX91为60V，BDX93为80V，BDX95为100V - 集电极-发射极电压（VCEO）：BDX91为60V，BDX93为80V，BDX95为100V - 发射极-基极电压（VEBO）：5V - 集电极连续电流（Ic）：10A - 集电极峰值电流（IcM）：15A - 集电极功率耗散@Tc=25°C（Pc）：90W - 结温（TJ）：200°C - 存储温度范围（Tstg）：-65~200°C

5. 功能详解： - 这些晶体管设计用于功率放大和开关应用，具有不同的击穿电压和功率耗散能力。

6. 应用信息： - 用于一般用途的功率放大和开关应用。

7. 封装信息： - TO-3封装，具体尺寸参数如下： - A: 39.00mm - B: 25.30~26.67mm - C: 7.80~8.30mm - D: 0.90~1.10mm - E: 1.40~1.60mm - G: 10.92mm - H: 5.46mm - K: 11.40~13.50mm - L: 16.75~17.05mm - N: 19.40~19.62mm - O: 4.00~4.20mm - U: 30.00~30.20mm - V: 4.30~4.50mm

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