BDY78

厂商：
ISC(固电半导体)
封装：
描述：
BDY78 - isc Silicon NPN Power Transistor - Inchange Semiconductor Company Limited

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INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor BDY78 DESCRIPTION ·Continuous Collector Current-IC= 4A ·Collector Power Dissipation: PC= 25W @TC= 25℃ APPLICATIONS ·Designed for general purpose switching and amplifier applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃) SYMBOL VCBO VCEX VCEO VEBO IC IB B PARAMETER Collector-Base Voltage Collector-Emitter Voltage VBE= -1.5V Collector-Emitter Voltage Emitter-Base Voltage Collector Current-Continuous Base Current-Continuous Collector Power Dissipation@TC=25℃ Junction Temperature Storage Temperature VALUE 90 90 55 7 4 2 25 200 -65~200 UNIT V V V V A A W ℃ ℃ PC TJ Tstg THERMAL CHARACTERISTICS SYMBOL Rth j-c PARAMETER Thermal Resistance,Junction to Case MAX 7.0 UNIT ℃/W isc Website：www.iscsemi.cn INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor ELECTRICAL CHARACTERISTICS TC=25℃ unless otherwise specified SYMBOL V(BR)CEO V(BR)CBO VCE(sat)-1 VCE(sat)-2 VBE(on) ICEX IEBO hFE-1 hFE-2 fT PARAMETER Collector-Emitter Breakdown Voltage Collector-Base Breakdown Voltage Collector-Emitter Saturation Voltage Collector-Emitter Saturation Voltage Base-Emitter On Voltage Collector Cutoff Current Emitter Cutoff Current DC Current Gain DC Current Gain Current Gain-Bandwidth Product CONDITIONS IC= 100mA; IB= 0 IC= 1mA; IE= 0 IC= 0.5A; IB= 50mA IC= 3A; IB= 1A B BDY78 MIN 55 90 MAX UNIT V V 1.0 3.0 2.0 1.0 5.0 1.0 25 5 8 100 V V V mA mA IC= 0.5A; VCE= 4V VCE= 90V; VBE= -1.5V VCE= 90V; VBE= -1.5V, TC=150℃ VEB= 7V; IC= 0 IC= 0.5A; VCE= 4V IC= 3A; VCE= 4V IC= 0.2A; VCE= 10V MHz isc Website：www.iscsemi.cn 2

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BDY78

1. 物料型号：BDY78

2. 器件简介： - 这是一个NPN型功率晶体管，适用于一般用途的开关和放大应用。 - 连续集电极电流IC为4A，集电极功耗PC在25°C时为25W。

3. 引脚分配： - PIN 1: BASE（基极） - PIN 2: EMITTER（发射极） - PIN 3: COLLECTOR（集电极，与外壳相连）

4. 参数特性： - 集电极-基极电压VCBO：90V - 集电极-发射极电压VCEO：55V（在VBE=-1.5V时） - 发射极-基极电压VEBO：7V - 集电极电流Ic：连续4A - 基极电流IB：连续2A - 集电极功耗Pc：25W（在Tc=25°C时） - 结温TJ：200℃ - 存储温度Tstg：-65~200℃

5. 功能详解： - 该晶体管设计用于一般用途的开关和放大应用，具有较高的集电极电流和功耗能力，适用于需要较高功率处理的场合。

6. 应用信息： - 设计用于一般用途的开关和放大应用。

7. 封装信息： - 封装类型为TO-66。 - 封装尺寸参数如下： - A: 31.40mm至31.80mm - B: 17.30mm至17.70mm - C: 6.70mm至7.10mm - D: 0.70mm至0.90mm - E: 1.40mm至1.60mm - G: 5.08mm - H: 2.54mm - K: 9.80mm至10.20mm - L: 14.70mm至14.90mm - N: 12.40mm至12.60mm - O: 3.60mm至3.80mm - U: 24.30mm至24.50mm - V: 3.50mm至3.70mm

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