BFR540

厂商：
ISC(固电半导体)
封装：
描述：
BFR540 - isc Silicon NPN RF Transistor - Inchange Semiconductor Company Limited

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BFR540 数据手册

INCHANGE Semiconductor isc RF Product Specification isc Silicon NPN RF Transistor BFR540 DESCRIPTION ·High Power Gain ·High Current Gain Bandwidth Product ·Low Noise Figure APPLICATIONS ·Designed for RF frontend in wideband applications in the GHz range,such as analog and digital cellular telephones, cordless telephones(CT1, CT2,DEC, etc.). ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃) SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT VCBO Collector-Base Voltage 20 V VCES Collector-Emitter Voltage 15 V VEBO Emitter-Base Voltage 2.5 V IC Collector Current-Continuous 120 mA PC Collector Power Dissipation @TC=25℃ 0.5 W TJ Junction Temperature 175 ℃ Tstg Storage Temperature Range -65~150 ℃ isc Website：www.iscsemi.cn INCHANGE Semiconductor isc RF Product Specification isc Silicon NPN RF Transistor ELECTRICAL CHARACTERISTICS TC=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP. BFR540 MAX UNIT ICBO Collector Cutoff Current VCB= 8V; IE= 0 0.05 μA hFE DC Current Gain IC= 40mA ; VCE= 8V 60 250 fT Current-Gain—Bandwidth Product IC= 40mA ; VCE= 8V; f= 1GHz 9 GHz COB Output Capacitance IE= 0 ; VCB= 8V; f= 1MHz 0.9 pF Cre Feedback Frequency IE= 0 ; VCB= 8V; f= 1MHz 0.6 pF PG Power Gain IC= 40mA ; VCE= 8V; f= 900MHz 14 dB PG Power Gain IC= 40mA ; VCE= 8V; f= 2GHz 7 dB ︱S21e︱2 Insertion Power Gain IC= 40mA ; VCE= 8V; f= 900MHz 12 13 dB NF Noise Figure IC= 10mA ; VCE= 8V; f= 900MHz 1.3 1.8 dB NF Noise Figure IC= 40mA ; VCE= 8V; f= 900MHz 1.9 2.4 dB NF Noise Figure IC= 10mA ; VCE= 8V; f= 2GHz IC = 40 mA; VCE = 8 V; ZL = ZS = 75 Ω 2.1 dB Vo Output Voltage 550 mV isc Website：www.iscsemi.cn 2 INCHANGE Semiconductor isc RF Product Specification isc Silicon NPN RF Transistor BFR540 isc Website：www.iscsemi.cn INCHANGE Semiconductor isc RF Product Specification isc Silicon NPN RF Transistor BFR540 isc Website：www.iscsemi.cn 4 INCHANGE Semiconductor isc RF Product Specification isc Silicon NPN RF Transistor BFR540 isc Website：www.iscsemi.cn INCHANGE Semiconductor isc RF Product Specification isc Silicon NPN RF Transistor BFR540 isc Website：www.iscsemi.cn 6 INCHANGE Semiconductor isc RF Product Specification isc Silicon NPN RF Transistor BFR540 isc Website：www.iscsemi.cn

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BFR540

物料型号：BFR540

器件简介： - 高功率增益（High Power Gain） - 高电流增益带宽积（High Current Gain Bandwidth Product） - 低噪声系数（Low Noise Figure）

引脚分配： - 文档中提供了封装尺寸图，但未明确指出各引脚编号，需要查看实际封装图确定。

参数特性： - 绝对最大额定值： - V_CBO：20V - V_CES：15V - V_EBO：2.5V - I_c：120mA - P_c：0.5W（Tc=25°C） - T_J：175°C - T_stg：-65~150°C

功能详解： - 直流电流增益（hFE）：60至250 - 频率增益带宽积（fT）：9GHz - 输出电容（COB）：0.9pF - 反馈电容（Cre）：0.6pF - 功率增益（PG）：在900MHz时为14dB，2GHz时为7dB - 插入功率增益（S21e|2）：在900MHz时为12至13dB - 噪声系数（NF）：在900MHz时为1.3至1.8dB，在2GHz时为2.1dB

应用信息： - 设计用于GHz范围内宽带应用的射频前端，例如模拟和数字蜂窝电话、无绳电话（CT1, CT2, DEC等）。

封装信息： - 提供了封装尺寸表，具体尺寸如下： - A：0.37至0.51mm - B：1.19至1.40mm - C：2.10至2.50mm - D：0.89至1.05mm - G：1.78至2.05mm - H：2.65至3.05mm - K：1.10至1.30mm - L：0.45至0.61mm - M：0.076至0.178mm

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