1. 物料型号：BU100，来自Inchange Semiconductor的硅NPN功率晶体管。
2. 器件简介：
- 带有TO-3封装。
- 高电压能力，适用于CTV接收器的水平偏转输出级以及高电压、快速切换和工业应用。
3. 引脚分配：
- 1号引脚：基极（Base）
- 2号引脚：发射极（Emitter）
- 3号引脚：集电极（Collector）
4. 参数特性：
- 集电极-基极电压（VCBO）：150V，开路发射极。
- 集电极-发射极电压（VCEO）：60V，开路基极。
- 发射极-基极电压（VEBO）：7V，开路集电极。
- 集电极电流（Ic）：10A。
- 集电极峰值电流（IcM）：15A。
- 总功率耗散（PD）：15W，结温75°C。
- 结温（Tj）：200°C。
- 存储温度（Tstg）：-55至200°C。
5. 功能详解：
- 维持电压（VCEO(SUS)）：60V，集电极-发射极，集电极电流100mA；基极电流0。
- 集电极-基极击穿电压（V(BR)CBO）：150V，集电极电流1mA；发射极电流0。
- 发射极-基极击穿电压（V(BR)EBO）：7V，发射极电流1mA；集电极电流0。
- 集电极-发射极饱和电压（VcE(sat)）：3.3V，集电极电流8A；基极电流2.5A。
- 基极-发射极饱和电压（VBE(sat)）：2.2V，集电极电流8A；基极电流2.5A。
- 集电极截止电流（ICBO）：10A，集电极-基极电压120V；发射极电流0。
- 发射极截止电流（IEBO）：10A，发射极-基极电压7V；集电极电流0。
- 直流电流增益（hFE）：40至90，集电极电流2A；集电极-发射极电压2V。
- 转换频率（fr）：0.1MHz，集电极电流0.5A；集电极-发射极电压10V；频率1MHz。
6. 应用信息：
- 水平偏转输出级CTV接收器。
- 高电压、快速切换和工业应用。
7. 封装信息：
- 封装类型为TO-3，具体尺寸见图2。
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