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BU2507AX

BU2507AX

  • 厂商:

    ISC(固电半导体)

  • 封装:

  • 描述:

    BU2507AX - isc Silicon NPN Power Transistor - Inchange Semiconductor Company Limited

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
BU2507AX 数据手册
INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor BU2507AX DESCRIPTION ·High Switching Speed ·High Voltage APPLICATIONS ·Designed for use in horizontal deflection circuits of coluor TV receivers and computer monitors. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃) SYMBOL VCESM VCEO VEBO IC ICM IB B PARAMETER Collector-Emitter Voltage VBE=0 Collector-Emitter Voltage Emitter-Base Voltage Collector Current-Continuous Collector Current-peak Base Current-Continuous Base Current-peak Collector Power Dissipation @TC=25℃ Junction Temperature Storage Temperature Range VALUE 1500 700 7.5 8 15 4 6 45 150 -65~150 UNIT V V V A A A A W ℃ ℃ IBM PC Tj Tstg THERMAL CHARACTERISTICS SYMBOL Rth j-c PARAMETER Thermal Resistance, Junction to Case MAX 2.8 UNIT K/W isc Website:www.iscsemi.cn INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor ELECTRICAL CHARACTERISTICS TC=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN BU2507AX TYP. MAX UNIT VCEO(SUS) Collector-Emitter Sustaining Voltage IC= 100mA ;IB= 0,L= 25mH 700 V V(BR)EBO Emitter-Base Breakdown Voltage IE= 1mA; IC= 0 7.5 V VCE(sat) VBE(sat) ICES Collector-Emitter Saturation Voltage IC= 4A ;IB= 0.8A 5.0 V Base-Emitter Saturation Voltage IC= 4A ;IB= 0.8A VCE= BVCES; VBE= 0 VCE= BVCES; VBE= 0;TC=125℃ VEB= 7.5V; IC= 0 1.1 1.0 2.0 1.0 V Collector Cutoff Current mA IEBO Emitter Cutoff Current mA hFE-1 DC Current Gain IC= 100mA; VCE= 5V 17 hFE-2 DC Current Gain IC= 4A; VCE= 5V 5 7 9 COB Output Capacitance IE= 0; VCB= 10V; ftest= 1MHz 68 pF Switching times μs μs tstg tf Storage Time IC= 4A, IB(end)= 0.7A; LB= 6 μ H; -VBB= 4V B 6.0 Fall Time 0.5 isc Website:www.iscsemi.cn
BU2507AX
1. 物料型号: - 型号:BU2507AX

2. 器件简介: - 该器件是一个硅NPN功率晶体管,具有高电压和高开关速度的特点,设计用于彩色电视机接收器和电脑显示器的水平偏转电路中。

3. 引脚分配: - PIN1: BASE(基极) - 2. COLLECTOR(集电极)或3. EMITTER(发射极),TO-3P(HS package)封装。

4. 参数特性: - 绝对最大额定值:包括1500V的集电极-发射极电压(VCESM)、700V的集电极-发射极电压(VCEO)、7.5V的发射极-基极电压(VEBO)、8A的集电极连续电流(Ic)、15A的集电极峰值电流(IcM)、4A的基极连续电流(IB)、6A的基极峰值电流(IBM)、45W的集电极功耗(Pc)、150°C的结温(T)和-65~150°C的存储温度范围(Tstg)。

5. 功能详解: - 该晶体管支持高电压和高开关速度,适用于水平偏转电路,具有特定的集电极-发射极电压、发射极-基极电压和集电极电流等参数,以及在不同条件下的最小值、典型值和最大值。

6. 应用信息: - 设计用于彩色电视机接收器和电脑显示器的水平偏转电路。

7. 封装信息: - 封装类型为TO-3P(HS package),具体尺寸参数包括A、B、C、D、F、G、H、J、K、L、N、Q、R、S、U、Y和Z,每个参数都有最小和最大值。
BU2507AX 价格&库存

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