BU2520D

厂商：
ISC(固电半导体)
封装：
描述：
BU2520D - Silicon NPN Power Transistors - Inchange Semiconductor Company Limited

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BU2520D 数据手册

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors BU2520D DESCRIPTION ・With TO-3PN package ・High voltage,high speed ・Built-in damper diode APPLICATIONS ・For use in horizontal deflection circuits of large screen colour TV receivers. PINNING PIN 1 2 3 Base Collector;connected to mounting base Emitter Fig.1 simplified outline (TO-3PN) and symbol DESCRIPTION Absolute maximum ratings (Ta=25℃) SYMBOL VCBO VCEO VEBO IC ICM IB IBM PC Tj Tstg PARAMETER Collector-base voltage Collector-emitter voltage Emitter-base voltage Collector current (DC) Collector current-peak Base current(DC) Base current-peak Collector power dissipation Junction temperature Storage temperature TC=25℃ CONDITIONS Open emitter Open base Open collector VALUE 1500 800 7.5 10 25 6 9 125 150 -65~150 UNIT V V V A A A A W ℃ ℃ Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors BU2520D CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP. MAX UNIT VCEO(SUS) Collector-emitter sustaining voltage IC=100mA ;IB=0,L=25mH 800 V V(BR)EBO VCEsat Emitter-base breakdown voltage IB=600mA; IC=0 IC=6A; IB=1.2A 7.5 13.5 V Collector-emitter saturation voltage 5.0 V VBEsat Base-emitter saturation voltage IC=6A; IB=1.2A VCE=ratedVCE; VBE=0 Tj=125℃ VEB=7.5V; IC=0 100 1.3 1.0 2.0 300 V ICES Collector cut-off current mA IEBO Emitter cut-off current mA hFE-1 DC current gain IC=1A ; VCE=5V 23 hFE-2 VF DC current gain IC=6A ; VCE=5V IF=6A 5 7 10 Diode forward voltage 2.2 V CC Collector capacitance IE=0 ;VCB=10V;f=1MHz 115 pF 2 Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors PACKAGE OUTLINE BU2520D Fig.2 outline dimensions (unindicated tolerance:±0.10 mm) 3

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BU2520D

1. 物料型号：BU2520D，由Inchange Semiconductor生产的一款Silicon NPN Power Transistors。

2. 器件简介：BU2520D是一款具有TO-3PN封装的高电压、高速硅NPN功率晶体管，内置阻尼二极管，适用于大屏幕彩色电视机的水平偏转电路。

3. 引脚分配： - 引脚1：基极（Base） - 引脚2：集电极，连接到安装底（Collector;connected to mounting base） - 引脚3：发射极（Emitter）

4. 参数特性： - 集电极-基极电压（VCBO）：1500V - 集电极-发射极电压（VCEO）：800V - 发射极-基极电压（VEBO）：7.5V - 集电极电流（DC）（Ic）：10A - 集电极电流峰值（IcM）：25A - 基极电流（DC）（lB）：6A - 基极电流峰值（IBM）：9A - 集电极功率耗散（Pc）：125W - 结温（Tj）：150°C - 存储温度（Tstg）：-65~150°C

5. 功能详解：BU2520D具有高电压、高速度的特性，并且内置了阻尼二极管，使其适用于大屏幕彩色电视机的水平偏转电路。

6. 应用信息：主要用于大屏幕彩色电视机的水平偏转电路。

7. 封装信息：TO-3PN封装，具体尺寸如图2所示，未标明的公差为±0.10mm。

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