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BU2708DF

BU2708DF

  • 厂商:

    ISC(固电半导体)

  • 封装:

  • 描述:

    BU2708DF - Silicon NPN Power Transistors - Inchange Semiconductor Company Limited

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
BU2708DF 数据手册
Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors BU2708DF DESCRIPTION ・With TO-3PFa package ・High voltage ・High speed switching ・Built-in damper diode APPLICATIONS ・For use in horizontal deflection circuits of colour TV receivers. PINNING PIN 1 2 3 Base Collector Emitter DESCRIPTION Absolute maximum ratings(Ta=25℃) SYMBOL VCBO VCEO IC ICM IB IBM Ptot Tj Tstg PARAMETER Collector-base voltage Collector-emitter voltage Collector current (DC) Collector current -peak Base Collector current (DC) Base current -peak Total power dissipation Junction temperature Storage temperature TC=25℃ Open emitter Open base CONDITIONS VALUE 1700 825 8 15 4 6 45 150 -65~150 UNIT V V A A A A W ℃ ℃ Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN BU2708DF TYP. MAX UNIT V(BR)EBO Emitter-base breakdown voltage IE=600mA ;IC=0 7.5 13.5 V VCEsat Collector-emitter saturation voltage IC=4A ;IB=1.33 A 1.0 V VBEsat Base-emitter saturation voltage IC=4A ;IB=1.33 A VCE=BVCES; VBE=0 Tj=125℃ IC=1A ; VCE=5V 15 1.0 1.0 2.0 V ICES Collector cut-off current mA hFE-1 DC current gain hFE-2 DC current gain IC=4A ; VCE=1V 3 6 7.3 VF Diode forward voltage IF=4A 1.6 V 2 Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors PACKAGE OUTLINE BU2708DF Fig.2 Outline dimensions (unindicated tolerance:±0.30mm) 3
BU2708DF
物料型号: - 型号:BU2708DF - 制造商:Inchange Semiconductor

器件简介: - BU2708DF是一款硅NPN功率晶体管,采用TO-3PFa封装,具有高电压、高速开关特性,并内置阻尼二极管。

引脚分配: - 引脚1:基极(Base) - 引脚2:集电极(Collector) - 引脚3:发射极(Emitter)

参数特性: - 集-基电压(VCBO):1700V - 集-射电压(VCEO):825V - 集电极电流(DC)(Ic):8A - 集电极峰值电流(IcM):15A - 基极电流(DC)(IB):4mA - 基极峰值电流(IBM):6mA - 总功耗(Ptot):45W - 结温(Tj):150°C - 存储温度(Tstg):-65至150°C

功能详解: - 该晶体管的发射极-基极击穿电压(VBR)EBO)在600mA集电极电流和0基极电流条件下,最小值为7.5V,典型值为13.5V。 - 集电极-发射极饱和电压(VcEsat)在4A集电极电流和1.33A基极电流条件下,典型值为1.0V。 - 基极-发射极饱和电压(VBEsat)在4A集电极电流和1.33A基极电流条件下,典型值为1.0V。 - 集电极截止电流(ICES)在125°C结温下,最小值为1.0mA,最大值为2.0mA。 - 直流电流增益(hFE-1)在1A集电极电流和5V集电极-发射极电压条件下,典型值为15。 - 直流电流增益(hFE-2)在4A集电极电流和1V集电极-发射极电压条件下,最小值为3,典型值为6,最大值为7.3。 - 二极管正向电压(VF)在4A电流下,典型值为1.6V。

应用信息: - 该晶体管适用于彩色电视机水平偏转电路。

封装信息: - 封装类型:TO-3PFa - 封装图示和尺寸详见文档中的图2,未标注的公差为±0.30mm。
BU2708DF 价格&库存

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