1. 物料型号：BU2725DF，为INCHANGE Semiconductor生产的Silicon NPN Power Transistor。
2. 器件简介：
- 高开关速度
- 高电压
- 内置阻尼二极管
- 适用于彩色电视机接收器的水平偏转电路。
3. 引脚分配：
- PIN 1: BASE（基极）
- PIN 2: COLLECTOR（集电极）
- PIN 3: EMITTER（发射极）
- 封装为TO-3PF。
4. 参数特性：
- VCES（集电极-发射极电压，VE=0）：1700V
- VEBO（发射极-基极电压）：7.5V
- Ic（集电极电流-连续）：12A
- IcM（集电极电流-峰值）：30A
- IB（基极电流-连续）：12mA
- IBM（基极电流-峰值）：20mA
- Pc（集电极功率耗散，Tc=25°C）：45W
- TJ（结温）：150°C
- Tstg（存储温度范围）：-65~150°C
5. 功能详解：
- 该器件的电气特性包括发射极-基极击穿电压、集电极-发射极饱和电压、基极-发射极饱和电压、集电极截止电流、发射极截止电流、直流电流增益等参数。
6. 应用信息：
- 设计用于彩色电视机接收器的水平偏转电路。
7. 封装信息：
- 封装类型为TO-3PF，具体尺寸参数如下：
- A: 20.70~21.30 mm
- B: 14.70~15.30 mm
- C: 4.80~5.20 mm
- D: 0.90~1.10 mm
- F: 3.20~3.40 mm
- H: 3.70~4.30 mm
- J: 0.50~0.70 mm
- K: 16.40~17.00 mm
- L: 1.90~2.10 mm
- N: 10.80~11.00 mm
- Q: 5.60~6.00 mm
- R: 1.80~2.20 mm
- S: 3.10~3.50 mm
- T: 8.70~9.30 mm
- U: 0.55~0.75 mm
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