BU2727AW

厂商：
ISC(固电半导体)
封装：
描述：
BU2727AW - isc Silicon NPN Power Transistor - Inchange Semiconductor Company Limited

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INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor BU2727AW DESCRIPTION ·Collector-Emitter Sustaining Voltage: VCEO(SUS)= 825V (Min) ·High Switching Speed APPLICATIONS ·Designed for use in horizontal deflection circuits of color TV receivers. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃) SYMBOL VCES VCEO VEBO IC ICM IB B PARAMETER Collector- Emitter Voltage(VBE= 0) Collector-Emitter Voltage Emitter-Base Voltage Collector Current- Continuous Collector Current-Peak Base Current- Continuous Base Current-Peak Collector Power Dissipation @ TC=25℃ Junction Temperature Storage Temperature Range VALUE 1700 825 7.5 12 30 12 25 125 150 -65~150 UNIT V V V A A A A W ℃ ℃ IBM PC TJ Tstg THERMAL CHARACTERISTICS SYMBOL PARAMETER Thermal Resistance,Junction to Case MAX 1.0 UNIT ℃/W Rth j-c isc Website：www.iscsemi.cn INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor ELECTRICAL CHARACTERISTICS TC=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN BU2727AW TYP. MAX UNIT VCEO(SUS) Collector-Emitter Sustaining Voltage IC= 100mA; IB= 0; L= 25mH 825 V V(BR)EBO Emitter-Base Breakdown Voltage IE= 1mA; IC= 0 7.5 V VCE(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage IC= 5A; IB= 0.91A B 1.0 V VBE(sat) Base-Emitter Saturation Voltage IC= 5A; IB= 0.91A B 0.95 1.0 2.0 1.0 V ICES Collector Cutoff Current VCE= 1700V; VBE= 0 VCE= 1700V; VBE= 0; TC=125℃ VEB= 7.5V ; IC= 0 mA IEBO Emitter Cutoff Current mA hFE-1 DC Current Gain IC= 0.1A ; VCE= 5V 12 35 hFE-2 DC Current Gain IC= 5A ; VCE= 1V 5.5 11 isc Website：www.iscsemi.cn 2

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BU2727AW

1. 物料型号：BU2727AW，这是ISC品牌的硅NPN功率晶体管。

2. 器件简介： - 该器件为硅NPN功率晶体管，具有高开关速度。 - 适用于彩色电视机水平偏转电路。

3. 引脚分配： - PIN 1: BASE（基极） - PIN 2: COLLECTOR（集电极） - PIN 3: EMITTER（发射极） - 封装类型为TO-247。

4. 参数特性： - 集电极-发射极击穿电压（VCEO）：825V（最小值） - 集电极-发射极电压（VCES）：1700V - 发射极-基极电压（VEBO）：7.5V - 集电极电流-连续（Ic）：12A - 集电极电流-峰值（ICM）：30A - 基极电流-连续（IB）：12mA - 基极电流-峰值（IBM）：25mA - 集电极功耗（Pc）：125W（在Tc=25°C时） - 结温（TJ）：150°C - 存储温度范围（Tstg）：-65~150°C

5. 功能详解： - 该晶体管设计用于高电压和高电流应用，特别是在彩色电视机的水平偏转电路中，能够承受高电压和提供快速开关能力。

6. 应用信息： - 主要设计用于彩色电视机的水平偏转电路。

7. 封装信息： - 封装类型为TO-247，具体尺寸参数如下： - A: 19.80mm至20.20mm - B: 15.40mm至15.80mm - C: 4.90mm至5.10mm - D: 0.90mm至1.10mm - E: 1.40mm至1.60mm - F: 1.90mm至2.10mm - G: 10.80mm至11.00mm - H: 2.40mm至2.60mm - J: 0.50mm至0.70mm - K: 19.50mm至20.50mm - P: 3.90mm至4.10mm - Q: 3.30mm至3.50mm - U: 5.20mm至5.40mm - V: 2.90mm至3.10mm - 热阻（Rth j-c）：1.0°C/W（结到封装）

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